[发明专利]多次光固化一次蚀刻形成光学挡墙的方法及光学挡墙结构在审

专利信息
申请号: 201910547353.6 申请日: 2019-06-24
公开(公告)号: CN112216599A 公开(公告)日: 2021-01-12
发明(设计)人: 李蕙如 申请(专利权)人: 培英半导体有限公司
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;H01L21/308;H01L31/02;H01L31/0203;H01L31/12;H01L31/18
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 郭化雨
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 多次 光固化 一次 蚀刻 形成 光学 挡墙 方法 结构
【权利要求书】:

1.一种以多次光固化一次蚀刻形成光学挡墙的方法,其特征在于,包括:

提供一基板,该基板具有一工作面;

将一光可固化的第一挡墙膜层合于该工作面,该第一挡墙膜具有一第一挡墙区及一第一非挡墙区;

将一第一光罩形成于该第一挡墙膜上,该第一光罩覆盖该第一非挡墙区但裸露该第一挡墙区;

对该第一挡墙膜照光而使该第一挡墙区固化;

移除该第一光罩;

在该第一挡墙膜进行蚀刻前,将一光可固化的第二挡墙膜层合于该第一挡墙膜上,该第二挡墙膜具有一第二挡墙区及一第二非挡墙区,该第二挡墙区位于该第一挡墙区上,且该第二挡墙区的横截面积不大于该第一挡墙区;

将一第二光罩形成于该第二挡墙膜上,该第二光罩覆盖该第二非挡墙区但裸露该第二挡墙区;

对该第二挡墙膜照光而使该第二挡墙区固化;

移除该第二光罩;

利用蚀刻液将所述未被固化的第一、第二非挡墙区移除,保留被固化的第一、第二挡墙区,其中该第一、第二挡墙区围构一裸露该工作面的开窗。

2.如权利要求1所述以多次光固化一次蚀刻形成光学挡墙的方法,其特征在于,该第二挡墙区的横截面积小于该第一挡墙区。

3.如权利要求1所述以多次光固化一次蚀刻形成光学挡墙的方法,其特征在于,更包括:在该第一、第二非挡墙区被移除后,在该开窗内的工作面上形成至少一光电单元,该光电单元为发光单元及感光单元其中一者。

4.如权利要求3所述以多次光固化一次蚀刻形成光学挡墙的方法,其特征在于,更包括:在该开窗内设置该至少一光电单元之后,更在该开窗内点胶。

5.一种光学挡墙结构,其特征在于,包括:

一基板,具有一工作面;

一形成于该工作面上的第一挡墙层,该第一挡墙层围构一第一开窗,该工作面在该第一开窗中裸露;以及

一形成于该第一挡墙层上的第二挡墙层,该第二挡墙层围构一第二开窗,该第二挡墙层的横截面积小于该第一挡墙层,且该第二开窗的轮廓大于该第一开窗。

6.如权利要求5所述的光学挡墙结构,其特征在于,更包括至少一光电单元形成于该第一、第二开窗内的工作面上。

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