[发明专利]多次光固化一次蚀刻形成光学挡墙的方法及光学挡墙结构在审
申请号: | 201910547353.6 | 申请日: | 2019-06-24 |
公开(公告)号: | CN112216599A | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 李蕙如 | 申请(专利权)人: | 培英半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/308;H01L31/02;H01L31/0203;H01L31/12;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 郭化雨 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多次 光固化 一次 蚀刻 形成 光学 挡墙 方法 结构 | ||
本发明提供一种光学挡墙结构,其包括一基板、一第一挡墙层及一第二挡墙层,基板具有一工作面,第一挡墙层形成于工作面上,且第一挡墙层围构一裸露工作面的第一开窗;第二挡墙层形成于第一挡墙层上,且第二挡墙层围构一第二开窗,第二挡墙层的横截面积小于第一挡墙层,且第二开窗的轮廓大于第一开窗。本发明还提供前述光学挡墙结构的制作方法,是通过分别对第一、第二挡墙膜局部光固化后,再一次蚀刻的方式形成。
技术领域
本发明是有关于一种光电机构的制作方法及结构,特别是关于一种在光电机构上形成挡墙的制作方法及其结构。
背景技术
现有的光传感器包括一发光单元及一感光单元,发光单元所发射的光线被侦测物反射后,可由感光单元接收并输出一感测信号。为了避免发光单元所发出的光线直接传递到感光单元,现有的光传感器会在发光单元与感光单元之间设置挡墙,让发光单元只在预定的方向发出光线,并让感光单元只感测来自预定方向的光线,因此增加光传感器的可靠度。
现有光传感器的挡墙多是通过射出成型(injection molding)等模塑方式来形成,但此制程有其不足在于:(1)易有溢胶问题,因而降低良率;(2)易因模塑偏移(moldshift)而影响精度,且不利小型化;(3)需针对不同挡墙造型分别制作模具,因而增加成本。
发明内容
有鉴于此,本发明的主要目的在于提供一种可提高精度并降低成本的光电机构制程。
为了达成上述及其他目的,本发明提供一种以多次光固化一次蚀刻形成光学挡墙的方法,包括:
提供一基板,该基板具有一工作面;
将一光可固化的第一挡墙膜层合于该工作面,该第一挡墙膜具有一第一挡墙区及一第一非挡墙区;
将一第一光罩形成于该第一挡墙膜上,该第一光罩覆盖该第一非挡墙区但裸露该第一挡墙区;
对该第一挡墙膜照光而使该第一挡墙区固化;
移除该第一光罩;
在该第一挡墙膜进行蚀刻前,将一光可固化的第二挡墙膜层合于该第一挡墙膜上,该第二挡墙膜具有一第二挡墙区及一第二非挡墙区,该第二挡墙区位于该第一挡墙区上,且该第二挡墙区的横截面积不大于该第一挡墙区;
将一第二光罩形成于该第二挡墙膜上,该第二光罩覆盖该第二非挡墙区但裸露该第二挡墙区;
对该第二挡墙膜照光而使该第二挡墙区固化;
移除该第二光罩;
利用蚀刻液将所述未被固化的第一、第二非挡墙区移除,保留被固化的第一、第二挡墙区,其中该第一、第二挡墙区围构一裸露该工作面的开窗。
为了达成上述及其他目的,本发明还提供一种光学挡墙结构,其包括一基板、一第一挡墙层及一第二挡墙层,基板具有一工作面,第一挡墙层形成于工作面上,且第一挡墙层围构一裸露工作面的第一开窗;第二挡墙层形成于第一挡墙层上,且第二挡墙层围构一第二开窗,第二挡墙层的横截面积小于第一挡墙层,且第二开窗的轮廓大于第一开窗。
经由上述方法所形成的挡墙精度高,加工成本得以下降,且光电机构的电路设计自由度得以提高,即便修改开窗位置或形状,也不须如先前技术般重新制作或修改模具。并且,通过多次光固化一次蚀刻的方法,能够使多层挡墙层具有不同的轮廓,也能提升整体挡墙层的厚度,因此大幅提高设计自由度。
有关本发明的其它功效及实施例的详细内容,配合附图说明如下。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造