[发明专利]电磁波屏蔽件以及应用电磁波屏蔽件的传输线组件

权利要求书

1.一种电磁波屏蔽件，其特征在于，所述电磁波屏蔽件包括一量子阱结构，所述量子阱结构包括两层阻挡层以及位于两层所述阻挡层之间的至少一载流子限制层，其中，两层所述阻挡层中的至少其中一个为复合材料层，且所述复合材料层包括一基材以及埋入所述基材内的多个量子点。

2.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，所述基材的能隙宽度小于所述量子点的材料的能隙宽度。

3.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，所述基材为非化学计量比化合物，且具有多个阴离子空缺。

4.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，所述量子点的材料选择由氧化物、碳化物、氮化物、氮氧化物、p型半导体所组成的群组中的其中一种。

5.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，所述载流子限制层的材料选择由半导体、金属、合金所组成的群组中的其中一种。

6.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，所述电磁波屏蔽件还进一步包括：一电子传输结构，设置于所述量子阱结构的其中一侧，所述电子传输结构的至少一部分具有导电性。

7.如权利要求6所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，所述电子传输结构包括一第一层以及位于所述第一层以及所述量子阱结构之间的一第二层，所述第一层或者所述第二层的至少其中一个为一复合导电层，所述复合导电层包括一导电部分以及一绝缘部分，所述导电部分与所述绝缘部分在一水平方向上交错分布。

8.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，所述阻挡层的厚度大于所述载流子限制层的厚度。

9.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，所述量子阱结构为多重量子阱结构，所述量子阱结构包括交替堆叠的多个所述阻挡层以及多个所述载流子限制层，且位于最外侧的其中一所述阻挡层为复合材料层。

10.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，两层所述阻挡层都是所述复合材料层，且两层所述复合材料层分别具有不同材料的基材。

11.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，两层所述阻挡层都是所述复合材料层，且两层所述复合材料层分别具有不同材料的量子点。

12.一种传输线组件，其特征在于，所述传输线组件包括：

一导线组，包括至少一导线以及包覆所述导线的一绝缘层；以及

一电磁波屏蔽件，设置在所述导线组上，且所述电磁波屏蔽件包括一量子阱结构，其中，所述量子阱结构包括两层阻挡层以及位于两层所述阻挡层之间的至少一载流子限制层，其中，两层所述阻挡层中的至少其中一个为复合材料层，且所述复合材料层包括一基材以及埋入所述基材内的多个量子点。

13.如权利要求12所述的传输线组件，其特征在于，所述基材为导电材料，所述量子点的材料为绝缘材料。

14.如权利要求12所述的传输线组件，其特征在于，所述基材的能隙宽度小于所述量子点的材料的能隙宽度。

15.如权利要求12所述的传输线组件，其特征在于，所述量子点的材料选择由氧化物、碳化物、氮化物、氮氧化物、p型半导体所组成的群组中的其中一种。

16.如权利要求12所述的传输线组件，其特征在于，所述传输线组件还进一步包括：一电子传输结构，位于所述量子阱结构以及所述导线组之间，其中，所述电子传输结构的至少一部分具有导电性。