[发明专利]电磁波屏蔽件以及应用电磁波屏蔽件的传输线组件

说明书

本发明公开一种电磁波屏蔽件以及应用电磁波屏蔽件的传输线组件。电磁波屏蔽件包括一量子阱结构，量子阱结构包括两层阻挡层以及位于两层阻挡层之间的至少一个载流子限制层。两层阻挡层中的至少其中一个为复合材料层，且复合材料层包括一基材以及埋入基材内的多个量子点。本发明提供的电磁波屏蔽件可减少电磁波噪声对信号传输线所造成的串扰。

技术领域

本发明涉及一种电磁波屏蔽件以及应用其的传输线组件，特别是涉及一种可在信号传输时有效抑制串扰的电磁波屏蔽件以及应用其的传输线组件。

背景技术

近年来，随着电子产品朝向轻薄短小的趋势发展，高频与高速的信号传输需求，电子产品内的各个芯片(如：无线通信芯片)之间，以及应用于传输高频信号的缆线内部的传输导线的配置也越来越密集。

据此，芯片所产生的电磁波很容易对其他芯片造成电磁干扰。相似地，当高频以及低频信号通过缆线内部的传输线传递时，两相邻的传输线之间很容易因为电磁波的耦合或者漫射而相互串扰(Crosstalk)。在现有技术手段中，通常会将金属屏蔽层覆盖于芯片外部或者是覆盖在用以传输信号的缆线，以防止电磁干扰。

然而，金属屏蔽层无法吸收频率1GHz以上高频电磁波，而仍有可能干扰其他传输线所传输的信号。据此，如何屏蔽高频电磁波，以减少信号传输的噪声，仍为本领域技术人员努力的方向。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种电磁波屏蔽件，以减少电磁波噪声对信号传输线所造成的串扰。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种电磁波屏蔽件，其包括一量子阱结构。量子阱结构包括两层阻挡层以及位于两层阻挡层之间的至少一载流子限制层。两层阻挡层中的至少其中一个为复合材料层，且复合材料层包括一基材以及埋入所述基材内的多个量子点。

更进一步地，基材的能隙宽度小于所述量子点的材料的能隙宽度。另外，基材为非化学计量比化合物，且具有多个阴离子空缺。

更进一步地，量子点的材料选择由氧化物、碳化物、氮化物、氮氧化物、p型半导体所组成的群组中的其中一种。

更进一步地，载流子限制层的材料为半导体、金属、合金或其任意组合。

更进一步地，电磁波屏蔽件还进一步包括：一电子传输结构，其设置于量子阱结构的其中一侧，电子传输结构的至少一部分具有导电性。

更进一步地，电子传输结构包括一第一层以及位于第一层以及量子阱结构之间的一第二层，第一层或者第二层的至少其中一个为一复合导电层，复合导电层包括一导电部分以及一绝缘部分，导电部分与绝缘部分在一水平方向上交错分布。

更进一步地，阻挡层的厚度大于载流子限制层的厚度。

更进一步地，量子阱结构为多重量子阱结构，量子阱结构包括交替堆叠的多个阻挡层以及多个载流子限制层，且位于最外侧的其中一阻挡层为复合材料层。

更进一步地，两层阻挡层都是复合材料层，且两层复合材料层分别具有不同材料的基材。

更进一步地，两层阻挡层都是复合材料层，且两层复合材料层分别具有不同材料的量子点。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种传输线组件，其包括一导线组以及一电磁波屏蔽件。导线组包括至少一导线以及包覆导线的一绝缘层。电磁波屏蔽件设置在导线组上，且电磁波屏蔽件包括一量子阱结构。量子阱结构包括两层阻挡层以及位于两层阻挡层之间的至少一载流子限制层。两层阻挡层中的至少其中一个为复合材料层，且复合材料层包括一基材以及埋入基材内的多个量子点。

更进一步地，基材为导电材料，量子点的材料为绝缘材料。

更进一步地，基材的能隙宽度小于量子点的材料的能隙宽度。