[发明专利]电磁波屏蔽件以及应用电磁波屏蔽件的传输线组件

权利要求书

1.一种电磁波屏蔽件，其特征在于，所述电磁波屏蔽件包括：

一量子阱结构，所述量子阱结构包括两层阻挡层以及位于两层所述阻挡层之间的至少一载流子限制层；以及

一电子传输结构，设置于所述量子阱结构的其中一侧，其中，所述电子传输结构的至少一部分具有导电性。

2.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，所述电子传输结构包括至少一单一导电层或至少一复合导电层。

3.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，所述电子传输结构包括一第一层以及位于所述第一层以及所述量子阱结构之间的一第二层，所述第一层为一复合导电层，且包括一第一导电部分以及一第一绝缘部分，所述第一导电部分与所述第一绝缘部分在一水平方向上交错分布。

4.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，所述电子传输结构包括一第一层以及位于所述第一层以及所述量子阱结构之间的一第二层，所述第二层为一复合导电层，并包括一第二导电部分以及一第二绝缘部分，所述第二导电部分与所述第二绝缘部分在一水平方向上交错分布。

5.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，所述电子传输结构为一复合导电层，所述复合导电层包括一导电部分以及一绝缘部分，所述导电部分与所述绝缘部分在一水平方向上交错分布。

6.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，所述电子传输结构包括一第一层以及位于所述第一层以及所述量子阱结构之间的一第二层；所述第一层为一复合导电层，且包括一第一导电部分以及一第一绝缘部分，所述第一导电部分与所述第一绝缘部分在一水平方向上交错分布；其中，所述第二层为一另一复合导电层，并包括一第二导电部分以及一第二绝缘部分，所述第二导电部分与所述第二绝缘部分在一水平方向上交错分布；其中，每一所述第一导电部分与每一所述第二导电部分相互错开。

7.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，所述电磁波屏蔽件还进一步包括另一电子传输结构，其中，两个所述电子传输结构分别位于所述量子阱结构的两相反侧。

8.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，每一所述阻挡层的导电带与相邻的所述载流子限制层的导电带之间所形成的能隙差值至少0.2eV。

9.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，所述阻挡层的厚度大于所述载流子限制层的厚度。

10.一种传输线组件，其特征在于，所述传输线组件包括：

一导线组，包括至少一导线以及包覆所述导线的一绝缘层；以及

一电磁波屏蔽件，设置在所述导线组上，且所述电磁波屏蔽件包括：

一量子阱结构，其中，所述量子阱结构包括两层阻挡层以及位于两层所述阻挡层之间的至少一载流子限制层；以及

一电子传输结构，位于所述量子阱结构以及所述导线组之间，其中，所述电子传输结构的至少一部分具有导电性。

11.如权利要求10所述的传输线组件，其特征在于，所述电子传输结构包括至少一单一导电层或至少一复合导电层。

12.如权利要求10所述的传输线组件，其特征在于，所述电子传输结构包括一第一层以及位于所述第一层以及所述量子阱结构之间的一第二层，所述第一层为一复合导电层，且包括一第一导电部分以及一第一绝缘部分，所述第一导电部分与所述第一绝缘部分在一水平方向上交错分布。

13.如权利要求10所述的传输线组件，其特征在于，所述电子传输结构包括一第一层以及位于所述第一层以及所述量子阱结构之间的一第二层，所述第二层为一复合导电层，并包括一第二导电部分以及一第二绝缘部分，所述第二导电部分与所述第二绝缘部分在一水平方向上交错分布。