[发明专利]电磁波屏蔽件以及应用电磁波屏蔽件的传输线组件

说明书

本发明公开一种电磁波屏蔽件以及应用电磁波屏蔽件的传输线组件。电磁波屏蔽件包括量子阱结构以及电子传输结构。量子阱结构包括至少两个阻挡层以及位于两个阻挡层之间的至少一载流子限制层。电子传输结构位于量子阱结构的其中一侧，且电子传输结构的至少一部分具有导电性。本发明提供的电磁波屏蔽件可吸收高频以及低频的电磁波噪声，以抑制电磁干扰。

技术领域

本发明涉及一种电磁波屏蔽件以及应用其的传输线组件，特别是涉及一种可在信号传输时有效抑制串扰的电磁波屏蔽件以及应用其的传输线组件。

背景技术

近年来，随着电子产品朝向轻薄短小的趋势发展，高频与高速的信号传输需求，电子产品内的各个芯片(如：无线通信芯片)之间，以及应用于传输高频信号的缆线内部的传输导线的配置也越来越密集。

据此，芯片所产生的电磁波很容易对其他芯片造成电磁干扰。相似地，当高频以及低频信号通过缆线内部的传输线传递时，两相邻的传输线之间很容易因为电磁波的耦合或者漫射而相互串扰(Crosstalk)。在现有技术手段中，通常会将金属屏蔽层覆盖于芯片外部或者是覆盖在用以传输信号的缆线，以防止电磁干扰。

然而，金属屏蔽层无法吸收频率1GHz以上高频电磁波，而仍有可能干扰其他传输线所传输的信号。据此，如何屏蔽高频电磁波，以减少信号传输的噪声，仍为本领域技术人员努力的方向。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种电磁波屏蔽件，以减少电磁波噪声对信号传输线所造成的串扰。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种电磁波屏蔽件，其包括量子阱结构及电子传输结构。量子阱结构包括至少两个阻挡层以及位于两个阻挡层之间的至少一载流子限制层。电子传输结构设置于量子阱结构的其中一侧。电子传输结构的至少一部分具有导电性。

更进一步地，电子传输结构包括至少一单一导电层或至少一复合导电层

更进一步地，电子传输结构包括一第一层以及位于第一层以及量子阱结构之间的一第二层，第一层为一复合导电层，且包括一第一导电部分以及一第一绝缘部分，第一导电部分与第一绝缘部分在一水平方向上交错分布。

更进一步地，电子传输结构包括一第一层以及位于第一层以及量子阱结构之间的一第二层，第二层为一复合导电层，并包括一第二导电部分以及一第二绝缘部分，第二导电部分与第二绝缘部分在一水平方向上交错分布。

更进一步地，电子传输结构为一复合导电层，复合导电层包括一导电部分以及一绝缘部分，导电部分与绝缘部分在一水平方向上交错分布。

更进一步地，电子传输结构包括一第一层以及位于第一层以及量子阱结构之间的一第二层。第一层为一复合导电层，且包括一第一导电部分以及一第一绝缘部分，第一导电部分与第一绝缘部分在一水平方向上交错分布。第二层为一另一复合导电层，并包括一第二导电部分以及一第二绝缘部分，第二导电部分与第二绝缘部分在一水平方向上交错分布。每一第一导电部分与每一第二导电部分相互错开。

更进一步地，电磁波屏蔽件，还进一步包括：另一电子传输结构，其中，两个电子传输结构分别位于量子阱结构的相反两侧。

更进一步地，每一阻挡层的导电带与相邻的载流子限制层的导电带之间所形成的能隙差值至少0.2eV。

更进一步地，阻挡层的厚度大于载流子限制层的厚度。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种传输线组件，其包括一导线组以及一电磁波屏蔽件。导线组包括至少一导线以及包覆导线的一绝缘层。电磁波屏蔽件设置在导线组上，且电磁波屏蔽件包括一量子阱结构以及一电子传输结构。量子阱结构包括两层阻挡层以及位于两层阻挡层之间的至少一载流子限制层。电子传输结构，其位于量子阱结构以及导线组之间，其中，电子传输结构的至少一部分具有导电性。