[发明专利]显示装置在审
申请号: | 201910552464.6 | 申请日: | 2019-06-25 |
公开(公告)号: | CN110634914A | 公开(公告)日: | 2019-12-31 |
发明(设计)人: | 全相镇;李哲坤;任祥旭 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/15 |
代理公司: | 11641 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 杜正国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘层 存储电极 驱动栅电极 导电层 第二导电层 第一导电层 发光元件 显示装置 源图案 基板 存储电极重叠 电容器 第一电容器 | ||
1.一种显示装置,包括:
基板;
有源图案,所述有源图案设置在所述基板上并且包括半导体材料;
第一绝缘层,所述第一绝缘层设置在所述有源图案上;
第一导电层,所述第一导电层设置在所述第一绝缘层上并且具有驱动栅电极、第一扫描线、第二扫描线以及控制线;
第二绝缘层,所述第二绝缘层设置在所述第一导电层上;
第二导电层,所述第二导电层设置在所述第二绝缘层上并且具有第一存储电极;
第三绝缘层,所述第三绝缘层设置在所述第二导电层上;
第三导电层,所述第三导电层设置在所述第三绝缘层上并且具有第二存储电极;以及
发光元件,所述发光元件设置在所述第三导电层上,
其中,所述有源图案包括沟道区和第一导电区,
所述第一存储电极电连接到所述第一导电区,
所述第二存储电极经由所述第三绝缘层与所述第一存储电极重叠以形成第一电容器,
所述第一存储电极经由所述第二绝缘层与所述驱动栅电极重叠以形成第二电容器,并且
所述驱动栅电极、所述第一存储电极以及所述第二存储电极至少部分地彼此重叠。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述驱动栅电极、所述第一存储电极以及所述第二存储电极设置在所述第二扫描线和所述控制线之间。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,
所述有源图案的所述沟道区包括与所述第一扫描线重叠的第三晶体管的沟道区和与所述第二扫描线重叠的第五晶体管的沟道区,并且
所述第一导电区设置在所述第一扫描线和所述第二扫描线之间,并且连接到所述第三晶体管的所述沟道区和所述第五晶体管的所述沟道区。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,
所述第一存储电极包括电连接到所述第一导电区的延长部,并且
所述延长部与所述第二扫描线交叉。
5.根据权利要求4所述的显示装置,还包括:
驱动电压线,所述驱动电压线传输驱动电压并且与所述第一扫描线、所述第二扫描线和所述控制线交叉,
其中,所述有源图案还包括电连接到所述驱动电压线的第二导电区,并且
所述第二存储电极电连接到所述第二导电区以接收所述驱动电压。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,
所述有源图案的所述沟道区包括与所述驱动栅电极重叠的第一晶体管的沟道区,并且
所述第二导电区设置在所述第二扫描线和所述控制线之间,并且连接到所述第一晶体管的所述沟道区和所述第五晶体管的所述沟道区。
7.根据权利要求5所述的显示装置,还包括:
数据线,所述数据线传输数据信号并且与所述第一扫描线、所述第二扫描线和所述控制线交叉,
其中,所述第三晶体管电连接到所述数据线以接收所述数据信号。
8.根据权利要求5所述的显示装置,其中,
所述驱动电压线包括与所述第一扫描线交叉的第一部和在与所述第一部的延伸方向不同的方向上延伸的突起,并且
所述突起与所述第一导电区重叠。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910552464.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的