[发明专利]显示装置在审
申请号: | 201910552464.6 | 申请日: | 2019-06-25 |
公开(公告)号: | CN110634914A | 公开(公告)日: | 2019-12-31 |
发明(设计)人: | 全相镇;李哲坤;任祥旭 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/15 |
代理公司: | 11641 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 杜正国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘层 存储电极 驱动栅电极 导电层 第二导电层 第一导电层 发光元件 显示装置 源图案 基板 存储电极重叠 电容器 第一电容器 | ||
本公开涉及显示装置,显示装置包括:基板;有源图案,有源图案设置在基板上;第一绝缘层;第一导电层,第一导电层设置在第一绝缘层上并且具有驱动栅电极;第二绝缘层;第二导电层,第二导电层设置在第二绝缘层上并且具有第一存储电极;第三绝缘层;第三导电层,第三导电层设置在第三绝缘层上并且具有第二存储电极;以及发光元件,发光元件设置在第三导电层上,其中,第二存储电极经由第三绝缘层与第一存储电极重叠以形成第一电容器,第一存储电极经由第二绝缘层与驱动栅电极重叠以形成第二电容器,并且驱动栅电极、第一存储电极以及第二存储电极至少部分地彼此重叠。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年6月25日提交的第10-2018-0072568号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请出于所有目的通过引用包含于此,如同在本文中被充分地阐述一样。
技术领域
本发明的示例性实施方式通常涉及显示装置,并且更具体地,涉及在显示装置中使用的像素。
背景技术
显示装置是用于显示图像的装置,并且近来,发光二极管显示器作为自发光显示装置已引起关注。
发光二极管显示器具有自发射特性,并因此与液晶显示器不同,不需要单独的光源,因此可以减小其厚度和重量。此外,发光二极管显示器展现出诸如低功耗、高亮度和高响应速度的高质量特性。
通常,发光二极管显示器包括:基板、设置在基板上的多个薄膜晶体管、设置在配置薄膜晶体管的布线之间的多个绝缘层以及连接到薄膜晶体管的发光元件,并且例如,该发光元件可以包括有机发光元件。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于对发明构思的背景的理解,并且因此,其可能包含不构成现有技术的信息。
发明内容
根据本发明的原理和示例性实施方式构造的显示装置具有能够增加显示器的分辨率和/或减小像素所需的面积的像素结构。例如,每个像素可以包括第一重叠电容器和第二重叠电容器,从而减小由一个像素占用的面积并且创建具有高分辨率的像素结构。
根据本发明的其它特征,可以防止发生或者可以减小由于发射的光而导致的漏电流,从而可以防止或减小诸如图像的亮度变化和色坐标变化的显示缺陷。
根据示例性实施例的显示装置包括:基板;有源图案,有源图案设置在基板上并且包括半导体材料;第一绝缘层,第一绝缘层设置在有源图案上;第一导电层,第一导电层设置在第一绝缘层上并且具有驱动栅电极、第一扫描线、第二扫描线以及控制线;第二绝缘层,第二绝缘层设置在第一导电层上;第二导电层,第二导电层设置在第二绝缘层上并且具有第一存储电极;第三绝缘层,第三绝缘层设置在第二导电层上;第三导电层,第三导电层设置在第三绝缘层上并且具有第二存储电极;以及发光元件,发光元件设置在第三导电层上,其中,有源图案包括沟道区和第一导电区,第一存储电极电连接到第一导电区,第二存储电极经由第三绝缘层与第一存储电极重叠以形成第一电容器,第一存储电极经由第二绝缘层与驱动栅电极重叠以形成第二电容器,并且驱动栅电极、第一存储电极以及第二存储电极至少部分地彼此重叠。
驱动栅电极、第一存储电极以及第二存储电极可以设置在第二扫描线和控制线之间。
有源图案的沟道区可以包括与第一扫描线重叠的第三晶体管的沟道区和与第二扫描线重叠的第五晶体管的沟道区,并且第一导电区可以设置在第一扫描线和第二扫描线之间,并且连接到第三晶体管的沟道区和第五晶体管的沟道区。
第一存储电极包括可以电连接到第一导电区的延长部,并且延长部可以与第二扫描线交叉。
还可以包括传输驱动电压并且与第一扫描线、第二扫描线和控制线交叉的驱动电压线,有源图案还可以包括电连接到驱动电压线的第二导电区,并且第二存储电极可以电连接到第二导电区以接收驱动电压。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的