[发明专利]一种晶圆缺陷检测方法及其装置在审
申请号: | 201910552496.6 | 申请日: | 2019-06-25 |
公开(公告)号: | CN111426701A | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 丁百龙;蔡俊郎;李发君 | 申请(专利权)人: | 合肥晶合集成电路有限公司 |
主分类号: | G01N21/956 | 分类号: | G01N21/956;H01L21/66 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 王华英 |
地址: | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 缺陷 检测 方法 及其 装置 | ||
1.一种晶圆缺陷检测方法,其特征在于,所述方法至少包括:
依据待检测的至少一电路布局区域,形成至少一相应的图形;
依据所述图形,获取所述晶圆上符合所述图形的区域,设定为相应的所述电路布局区域的晶圆待检区;
依据不同的所述电路布局区域设定至少一检测参数;
依据所述至少一检测参数,对所述电路布局区域的晶圆待检区进行检测;
依据预设的判断方法,判断所述电路布局区域的晶圆待检区中是否存在晶圆缺陷区。
2.根据权利要求1所述一种晶圆缺陷检测方法,其特征在于,所述至少一检测参数包括检测焦距参数、分辨率参数、感光参数或白平衡参数。
3.根据权利要求1所述一种晶圆缺陷检测方法,其特征在于,所述预设的判断方法包括:采集所述电路布局区域的晶圆待检区内多个晶粒的相同位置图像,并进行差异比对,所述多个晶粒的其中至少一者与其周围的其它所述晶粒之间存在差异。
4.根据权利要求1所述一种晶圆缺陷检测方法,其特征在于,所述电路布局区域为晶圆电路图案区域。
5.根据权利要求1所述一种晶圆缺陷检测方法,其特征在于,所述电路布局区域为晶圆沟槽图案区域。
6.根据权利要求1所述一种晶圆缺陷检测方法,其特征在于,在形成所述至少一相应的图形的步骤中,依据待检测的多个不同的所述电路布局区域,形成多个不同的相应的所述图形。
7.一种晶圆缺陷检测装置,采用如权利要求1-6中任一项所述晶圆缺陷检测方法,其特征在于,其包括:
图像处理单元,用于采集所述晶圆上待检测的至少一电路布局区域,并依此形成至少一相应的图形;
判断单元,与所述图像处理单元连接,依据图像处理单元所形成的图形,获取所述晶圆上符合所述图形的区域,并将其设定为电路布局区域的晶圆待检区;依据不同的所述电路布局区域设定至少一检测参数,对所述电路布局区域的晶圆待检区进行检测,并依据预设的判断方法,判断所述电路布局区域的晶圆待检区中是否存在晶圆缺陷区;
光学检测单元,与所述判断单元连接,用于对所述晶圆缺陷区进行检测。
8.根据权利要求7所述一种晶圆缺陷检测装置,其特征在于,所述至少一检测参数包括检测焦距参数、分辨率参数、感光参数或白平衡参数。
9.根据权利要求7所述一种晶圆缺陷检测装置,其特征在于,在形成所述至少一相应的图形的步骤中,依据待检测的多个不同的所述电路布局区域,形成多个不同的相应的所述图形。
10.根据权利要求7所述一种晶圆缺陷检测装置,其特征在于,所述预设的判断方法包括:采集所述电路布局区域的晶圆待检区内多个晶粒的相同位置图像,并进行差异比对,所述多个晶粒的其中至少一者与其周围的其它所述晶粒之间存在差异。
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