[发明专利]一种晶圆缺陷检测方法及其装置

说明书

本发明公开了一种晶圆缺陷检测方法及其装置，所述检测方法及其装置属于晶圆检测技术领域。所述检测方法包括：依据待检测的电路布局区域，形成相应的图形；依据所述图形，获取所述晶圆上符合所述图形的区域，设定为相应的所述电路布局区域的晶圆待检区；依据不同的所述电路布局区域设定至少一检测参数；依据所述至少一检测参数，对所述电路布局区域的晶圆待检区进行检测；依据预设的判断方法，判断所述电路布局区域的晶圆待检区中是否存在晶圆缺陷区。本发明解决了现有的矩形检测区域对不同电路布局区域难以达到同时聚焦的焦距条件的问题。

技术领域

本发明属于晶圆检测技术领域，特别是涉及一种晶圆缺陷检测方法及其装置。

背景技术

在半导体器件的制作过程中，光刻的质量非常重要，直接影响了器件的性能，成品率和可靠性。一般对于光刻的晶圆有如下要求：获得的图形完整性好、尺寸准确、边缘整齐、线条陡直、图形内无针孔、图形外无小岛、不染色、硅片表面清洁、无底膜和图形套刻准确。

在晶圆缺陷的检测中，数字图像处理技术是一种较为常见的技术形式，其能够通过采样与幅值量化的图像，结合计算机信息技术与相关算法，进行具体计算，这使其具有精度高、处理灵活的特点。

目前基于数字图像处理技术的缺陷检测仪器中，对晶圆缺陷的检测区域都只能设定为矩形的区域，而矩形检测区域的设定，存在着极大的弊端，主要包括以下几点：不能满足晶圆面内设计复杂度较高的晶圆缺陷检测需求；对不同的晶圆形态区域难以达到同时聚焦的焦距条件无法同时对于不同的晶圆形态区域给予最佳焦距条件。

发明内容

针对以上存在的问题，本发明的目的在于提供一种晶圆缺陷检测方法及其装置，通过在缺陷检测过程中进行非矩形检测区域的设计，解决了现有的矩形检测区域对不同电路布局区域难以达到同时聚焦的焦距条件，不能同时适应不同电路布局区域的焦距需求，无法对于不同的电路布局区域给予最佳焦距条件的问题。

为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：

本发明提供一种晶圆缺陷检测方法，所述方法至少包括：

依据待检测的至少一电路布局区域，形成至少一相应的图形；

依据所述图形，获取所述晶圆上符合所述图形的区域，设定为相应的所述电路布局区域的晶圆待检区；

依据不同的所述电路布局区域设定至少一检测参数；

依据所述至少一检测参数，对所述电路布局区域的晶圆待检区进行检测；

依据预设的判断方法，判断所述电路布局区域的晶圆待检区中是否存在晶圆缺陷区。

在一实施例中，所述至少一检测参数包括检测焦距参数、分辨率参数、感光参数或白平衡参数。

在一实施例中，所述预设的判断方法包括：采集所述电路布局区域的晶圆待检区内多个晶粒的相同位置图像，并进行差异比对，所述多个晶粒的其中至少一者与其周围的其它所述晶粒之间存在差异。

在一实施例中，所述电路布局区域为晶圆电路图案区域。

在一实施例中，所述电路布局区域为晶圆沟槽图案区域。

在一实施例中，在形成所述至少一相应的图形的步驟中，依据待检测的多个不同的所述电路布局区域，形成多个不同的相应的所述图形。

本发明还提供了一种晶圆缺陷检测装置，包括：

图像处理单元，用于采集所述晶圆上待检测的至少一电路布局区域，并依此形成至少一相应的图形；