[发明专利]有机发光二极管显示面板及其制作方法有效
申请号: | 201910552660.3 | 申请日: | 2019-06-25 |
公开(公告)号: | CN110350004B | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 肖世艳;彭久红 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一种有机发光二极管显示面板的制作方法,其特征在于,包括步骤:
提供一基板;
在所述基板上制作驱动电路层;
在所述驱动电路层上贴附一遮挡薄片;
在所述驱动电路层上制作有机发光二极管层;所述有机发光二极管层对应所述遮挡薄片位置形成第三通孔;所述第三通孔与所述遮挡薄片的直径相等;
采用激光在对应于所述遮挡薄片位置切割,在所述驱动电路层上形成第二通孔,在所述基板上形成第一通孔并移除所述遮挡薄片;所述第二通孔的直径等于所述第一通孔的直径;所述第一通孔的直径小于所述遮挡薄片的直径;以及
在所述有机发光二极管层上制作薄膜封装层,所述薄膜封装层包覆所述有机发光二极管层。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示面板的制作方法,其特征在于,所述遮挡薄片在20℃的热膨胀系数为1.4×10-6/℃-1.8×10-6/℃。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示面板的制作方法,其特征在于,所述遮挡薄片的导热系数为0.026cal/cm·sec·℃-0.032cal/cm·sec·℃。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示面板的制作方法,其特征在于,所述遮挡薄片的材质包括因瓦合金,所述遮挡薄片的厚度为50um-100um。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示面板的制作方法,其特征在于,所述贴附一遮挡薄片的方式包括通过无机耐高温粘合剂实现所述遮挡薄片与所述基板的紧密贴合。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示面板的制作方法,其特征在于,所述在所述驱动电路层上制作有机发光二极管层的步骤具体包括:
在所述驱动电路层上制作缓冲层;
在所述缓冲层上制作空穴注入传输层;
在所述空穴注入传输层上制作功能层;
在所述功能层上制作发光层;
在所述发光层上制作掺杂电子传输层;
在所述掺杂电子传输层上制作阴极层;以及
在所述阴极层上制作覆盖层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的