[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

多个有源图案，相对于所述衬底突出；

器件隔离层，在所述多个有源图案之间；以及

钝化层，覆盖所述器件隔离层的顶表面并且暴露所述多个有源图案的上部，

其中所述器件隔离层包括：

多个第一隔离部，与所述多个有源图案的相面对的侧壁相邻；和

第二隔离部，在所述多个第一隔离部之间，

其中所述第二隔离部的顶表面位于比所述多个第一隔离部的顶表面低的垂直水平处。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述钝化层的一部分形成在所述多个第一隔离部的侧表面上。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述钝化层包括：

在所述多个第一隔离部上的第一区段；

在所述第二隔离部上的第二区段；以及

将所述第一区段连接到所述第二区段的台阶区段。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一区段具有均匀的厚度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

在所述多个有源图案上的多个源极/漏极图案，

其中所述多个源极/漏极图案中的至少第一源极/漏极图案的底表面覆盖所述钝化层的顶表面的一部分。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

栅电极，穿越所述多个有源图案的所述上部；以及

栅极电介质层，在所述栅电极和所述多个有源图案之间以及在所述栅电极和所述器件隔离层之间，

其中所述钝化层定位在所述栅极电介质层和所述器件隔离层之间。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

栅电极，穿越所述多个有源图案的所述上部，

其中所述栅电极包括朝向所述衬底突出的突起，以及

其中所述突起定位在所述第二隔离部上方。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二隔离部的底表面位于比所述多个第一隔离部的底表面低的垂直水平处。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括：

虚设图案，在所述多个有源图案之间相对于所述衬底突出，

其中所述虚设图案定位在所述多个第一隔离部之一的底部和所述第二隔离部的底部之间。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个第一隔离部具有比所述第二隔离部更大的硬度。

11.一种半导体器件，包括：

衬底，包括沿第一方向纵长延伸的多个有源图案；

栅电极，穿越所述多个有源图案并且沿第二方向纵长延伸；

器件隔离层，填充所述多个有源图案之间的间隙；

钝化层，覆盖所述器件隔离层的顶表面并且暴露所述多个有源图案的上部；以及

栅极电介质层，在所述栅电极和所述多个有源图案之间以及在所述栅电极和所述钝化层之间，

其中所述钝化层包括多个第一区段和在所述多个第一区段中的两个第一区段之间的第二区段，

其中所述第二区段的顶表面位于比所述两个第一区段的每个的顶表面低的垂直水平处。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述钝化层还包括将所述两个第一区段连接到所述第二区段的台阶区段。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述多个第一区段的每个从相邻有源图案的侧壁延伸并沿着相邻器件隔离层的顶表面延伸，

其中所述多个第一区段具有均匀的厚度。