[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上形成有介质材料的覆盖层，所述覆盖层中形成有顶层连线层；

在所述覆盖层上形成粘合层，所述粘合层包括引出区和非引出区，所述引出区位于所述顶层连线层之上；

在所述粘合层上形成光刻胶层，并进行光刻工艺，将掩膜版的图形成像至所述光刻胶层，所述掩膜版的图形包括：对应于所述非引出区且为亚分辨率辅助图形的第一图形，以及对应于所述引出区且可曝光的第二图形，所述非引出区的光刻胶层中形成有与所述第一图形所在区域对应且仅具有部分曝光深度的第一部分曝光区，以及在所述引出区的光刻胶层中形成有第二图形的曝光图形；

利用所述光刻胶层，进行所述粘合层的各项异性刻蚀，以同时在所述第一部分曝光区下的部分厚度的粘合层中形成第一开口，以及在所述曝光图形下的粘合层中形成贯穿至所述顶层连线层的过孔；

进行导电材料填充及平坦化工艺。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述掩膜版的图形还包括：对应于所述引出区且为亚分辨率辅助图形的第三图形，所述第三图形包围所述第二图形；则，

在所述进行光刻工艺的步骤中，还包括：在所述引出区的光刻胶层中形成与所述第三图形所在区域对应且仅具有部分曝光深度的第二部分曝光区；

在所述进行所述粘合层的各项异性刻蚀的步骤中，还包括：

在所述第二部分曝光区下的部分厚度的粘合层中形成第二开口。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述第一图形或所述第三图形的排布方式包括：

点阵列排布、条形排布、嵌套排布或纵横交错排布。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二图形为多个。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述粘合层包括：氧化硅层、NDC层或他们的叠层。

6.一种掩膜版，其特征在于，应用于形成引出顶层连线层的过孔时的光刻工艺中，所述掩膜版的图形包括：对应于非引出区且为亚分辨率辅助图形的第一图形，以及对应于引出区且可曝光的第二图形，所述引出区为对应于顶层连线层所在区域。

7.根据权利要求6所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版的图形还包括：对应于引出区且为亚分辨率辅助图形的第三图形，所述第三图形包围所述第二图形。

8.根据权利要求7所述的掩膜版，其特征在于，所述第一图形或所述第三图形的排布方式包括：

点阵列排布、条形排布、嵌套排布或纵横交错排布。