[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

说明书

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，在粘合层上形成光刻胶层之后，利用光刻技术形成刻蚀图形时，非引出区上对应的掩膜版的图形为亚分辨率辅助图形，引出区上对应的掩膜版的图形为可曝光图形，这样，在光刻工艺中，亚分辨率辅助图形对应的光刻胶层中将形成具有部分曝光深度的第一部分曝光区，而在可曝光图形对应的光刻胶层中将形成完全曝光的曝光图形，利用该光刻胶层进行粘合层的各项异性刻蚀后，同时在部分厚度粘合层中形成开口以及贯穿粘合层的过孔。这样，通过一次刻蚀工艺，同时形成开口和过孔，开口则用于过孔填充工艺时平坦化过程中的负载均衡，实现平坦化过程中的负载均衡，同时降低制造成本。

技术领域

本发明涉及半导体器件及其制造领域，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，晶圆键合技术得到了广泛的应用，晶圆键合是通过键合技术将两片晶圆粘合在一起，实现两片晶圆的垂直互联。

混合键合(hybrid bonding)是目前常采用的一种晶圆键合方式，在实现过程中，需要在晶圆上将顶层金属层上形成将其电引出的键合垫，该键合垫分布在晶圆的部分区域上，而不形成键合垫的区域会造成化学机械平坦化过程中的负载不均衡的问题，导致晶圆表面不平坦，进而造成器件的失效。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种半导体器件及其制造方法，。实现平坦化过程中的负载均衡，同时降低制造成本。

为实现上述目的，本发明有如下技术方案：

一种半导体器件的制造方法，包括：

提供衬底，所述衬底上形成有介质材料的覆盖层，所述覆盖层中形成有顶层连线层；

在所述覆盖层上形成粘合层，所述粘合层包括引出区和非引出区，所述引出区位于所述顶层连线层之上；

在所述粘合层上形成光刻胶层，并进行光刻工艺，将掩膜版的图形成像至所述光刻胶层，所述掩膜版的图形包括：对应于所述非引出区且为亚分辨率辅助图形的第一图形，以及对应于所述引出区且可曝光的第二图形，所述非引出区的光刻胶层中形成有与所述第一图形所在区域对应且仅具有部分曝光深度的第一部分曝光区，以及在所述引出区的光刻胶层中形成有第二图形的曝光图形；

利用所述光刻胶层，进行所述粘合层的各项异性刻蚀，以同时在所述第一部分曝光区下的部分厚度的粘合层中形成第一开口，以及在所述曝光图形下的粘合层中形成贯穿至所述顶层连线层的过孔；

进行导电材料填充及平坦化工艺。

可选地，所述掩膜版的图形还包括：对应于所述引出区且为亚分辨率辅助图形的第三图形，所述第三图形包围所述第二图形；则，

在所述进行光刻工艺的步骤中，还包括：在所述引出区的光刻胶层中形成与所述第三图形所在区域对应且仅具有部分曝光深度的第二部分曝光区；

在所述进行所述粘合层的各项异性刻蚀的步骤中，还包括：

在所述第二部分曝光区下的部分厚度的粘合层中形成第二开口。

可选地，所述第一图形或所述第三图形的排布方式包括：

点阵列排布、条形排布、嵌套排布或纵横交错排布。

可选地，所述第二图形为多个。

可选地，所述粘合层包括：氧化硅层、NDC层或他们的叠层。

一种半导体器件，包括：

衬底；

所述衬底上介质材料的覆盖层，以及所述覆盖层中的顶层连线层；

所述覆盖层上的粘合层，所述粘合层包括引出区和非引出区，所述引出区位于所述顶层连线层之上；