[发明专利]一种显示面板、其制作方法及母板有效
申请号: | 201910555373.8 | 申请日: | 2019-06-25 |
公开(公告)号: | CN110265424B | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 付帮然;李兴亮;高英强;陈华斌;宋勇志 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L21/67;H01L21/68;H01L33/00 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 李欣 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 制作方法 母板 | ||
本发明公开了一种显示面板、其制作方法及母板,该母板,包括:衬底基板,位于衬底基板之上的多个目标区域,以及位于衬底基板之上的压电薄膜和声波激励结构;其中,声波激励结构位于除各目标区域以外的区域,并与压电薄膜接触,声波激励结构用于在驱动信号的控制下产生表面声波;目标区域,包括:位于衬底基板上的绝缘层,以及位于绝缘层远离衬底基板一侧的多个用于容置微发光二极管的凹槽;压电薄膜位于除各凹槽以外的区域,每一个凹槽内具有驱动电极和第一磁性结构。本发明实施例提供的母板可以实现对微发光二极管的巨量转移,制作工艺简单高效,可有效降低工艺成本。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤指一种显示面板、其制作方法及母板。
背景技术
微发光二极管(Micro-LED)具有反应时间快、画质高、对比度高、色域高、寿命长、功耗低等优点,Micro-LED已发展成未来显示技术的热点之一,然而,目前Micro LED技术面临相当多的技术挑战,其中,Micro LED工艺制程中的巨量转移技术是目前最困难的关键制程。
具体地,Micro LED工艺制程中的技术难点为:Micro LED在光刻步骤后,需要将LED裸芯片颗粒直接从蓝宝石基板转移到目标基板上,并且需要将LED上的引出电极与目标基板相连,且每次转移量非常大,对转移工艺的稳定性和精确度要求非常高。
目前主流的巨量转移技术主要有芯片级焊接、外延级焊接、薄膜转移,以及薄膜转移技术,但是,现有的直接或间接实现巨量转移的技术方案,工艺复杂且成本较高,随着LED晶粒颗粒的进一步缩小,难以实现对转移工艺稳定性和精确度的要求。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板、其制作方法及母板,用以解决现有技术中存在的巨量转移技术的工艺复杂且成本较高的问题。
第一方面,本发明实施例提供了一种母板,包括:衬底基板,位于所述衬底基板之上的多个目标区域,以及位于所述衬底基板之上的压电薄膜和声波激励结构;其中,
所述声波激励结构位于除各所述目标区域以外的区域,并与所述压电薄膜接触,所述声波激励结构用于在驱动信号的控制下产生表面声波;
所述目标区域,包括:位于所述衬底基板上的绝缘层,以及位于所述绝缘层远离所述衬底基板一侧的多个用于容置微发光二极管的凹槽;
所述压电薄膜位于除各所述凹槽以外的区域,每一个所述凹槽内具有驱动电极和第一磁性结构。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述母板中,多个所述目标区域呈阵列排布;
所述声波激励结构,包括:沿列方向延伸且沿行方向排列的多个第一叉指电极;
在行方向相邻的两个所述第一叉指电极之间具有至少一个所述目标区域。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述母板中,所述目标区域中在行方向上相邻的两个所述凹槽之间的距离L1满足以下关系:
L1=m*(a1+b1);
其中,a1为所述第一叉指电极的叉指宽度,b1为所述第一叉指电极的指间距,m为大于零的整数。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述母板中,多个所述目标区域呈阵列排布;
所述声波激励结构,包括:沿列方向延伸且沿行方向排列的多个第一叉指电极,以及沿行方向延伸且沿列方向排列的多个第二叉指电极;
在行方向相邻的两个所述第一叉指电极之间具有至少一个所述目标区域,在列方向相邻的两个所述第二叉指电极之间具有至少一个所述目标区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的