[发明专利]制作增强UTBB FDSOI器件的方法和结构

权利要求书

1.一种形成晶体管的方法，包括：

在第二半导体层上形成掩埋氧化物层；

在所述掩埋氧化物层上形成第一半导体层；

形成沟槽，所述沟槽具有穿过第一半导体层并至少进入所述掩埋氧化物层的第一部分和第二部分，所述形成沟槽包括暴露所述第一半导体层的顶表面和侧表面；

在所述沟槽的所述第一部分和所述第二部分中形成绝缘层，所述绝缘层具有在所述第一半导体层的底表面下方的顶表面；以及

在所述第一半导体层的所述顶表面和所述侧表面上形成栅极结构，所述形成栅极结构包括在所述第一半导体层的顶表面上形成第一部分和在所述沟槽的所述第一部分和所述第二部分中延伸的第二部分，

其中所述沟槽的所述第一部分和所述第二部分在所述掩埋氧化物层的两端。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一半导体层包括形成所述第一半导体层以具有远离所述第二半导体层延伸的第一长度和横切于所述第一长度的第二长度，所述第一长度显著小于所述第二长度。

3.根据权利要求2所述的方法，其中形成所述栅极结构包括形成所述栅极结构的所述第二部分以延伸超过所述第一半导体层的所述第一长度进入所述沟槽的所述第一部分和所述第二部分。

4.根据权利要求2所述的方法，其中形成所述第一半导体层包括形成所述第一长度和所述第二长度以具有10：1至100：3的比率。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述第一半导体层上形成源极区域和漏极区域，所述栅极结构分隔所述源极区域和所述漏极区域。

6.根据权利要求5所述的方法，其中形成所述源极区域和所述漏极区域包括形成所述源极区域和漏极区域以与所述第一半导体层的侧表面交叠。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述沟槽的所述第一部分和所述第二部分中的所述绝缘层上形成所述栅极结构的所述第二部分。

8.一种形成晶体管的方法，包括：

通过如下方式形成伸长的沟道：

形成第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽穿过第一半导体层、第一绝缘层和第二半导体层；

在所述第一沟槽和所述第二沟槽中形成第二绝缘层，所述第二绝缘层的顶表面在第一半导体层的底表面下方；以及

在所述第一半导体层上形成栅极结构，所述栅极结构具有位于所述第一半导体层的所述顶表面上的第一部分和延伸到所述第一沟槽和所述第二沟槽中的第二部分，所述第二部分延伸超过第一半导体层的底表面。

9.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述栅极结构包括在所述第一半导体层的所述顶表面和侧表面上形成第三绝缘层，以及在所述第三绝缘层上形成导电层。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括在所述第一半导体层上形成源极区域和漏极区域。

11.根据权利要求10所述的方法，其中形成所述栅极结构包括在所述源极区域和所述漏极区域与所述栅极结构之间形成侧壁。

12.根据权利要求8所述的方法，还包括在所述第一沟槽和所述第二沟槽中的所述第二绝缘层上形成所述栅极结构的第二部分。

13.根据权利要求8所述的方法，还包括：形成穿过所述第一半导体层的顶侧的第三沟槽，所述栅极结构的所述第一部分位于所述第三沟槽中。