[发明专利]像素电极、阵列基板及显示装置在审
| 申请号： | 201910557367.6 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110275357A | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 肖诗笛 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1343 | 分类号： | G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 主体部 像素电极 镂空区 电极区 膨胀体 背光光源 显示装置 续航能力 阵列基板 穿透率 | ||
1.一种像素电极，其特征在于，包括
电极区，以及
至少一镂空区，分布于所述电极区之间；其中，所述镂空区具有主体部和位于主体部两端的端部，其中所述主体部具有一宽度；至少一端部为膨胀体，其也具有一宽度，所述主体部的宽度小于所述膨胀体的宽度。
2.如权利要求1所述的像素电极，其特征在于，所述膨胀体为优弧形。
3.如权利要求1所述的像素电极，其特征在于，位于所述主体部的两端的端部均为膨胀体。
4.如权利要求1所述的像素电极，其特征在于，位于所述主体部的两端的端部其中一端为膨胀体，另一端延伸至所述电极区并形成镂空的缺口。
5.如权利要求4所述的像素电极，其特征在于，在所述缺口处，所述电极区形成有拐角，所述拐角的边缘为弧形边缘。
6.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-5中任意一项所述的像素电极。
7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
薄膜晶体管结构层；
平坦层，设于所述薄膜晶体管结构层上；以及
钝化层，设于所述平坦层上；
所述像素电极设于所述钝化层上。
8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，
所述薄膜晶体管结构层中具有源漏极层；
所述平坦层上具有一第一过孔，钝化层上具有一第二过孔，所述第一过孔对应于所述第二过孔，所述像素电极穿过所述第一过孔和所述第二过孔与所述源漏极层连接。
9.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第一过孔的孔径小于7微米，所述第二过孔的孔径小于5微米。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要去1-5中任意一项所述的像素电极。
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