[发明专利]像素电极、阵列基板及显示装置

说明书

本发明提供了一种像素电极，所述像素电极包括电极区以及镂空区。所述镂空区分布于所述电极区之间。其中，所述镂空区具有主体部和位于主体部两端的端部，其中所述主体部具有一宽度。至少一端部为膨胀体，其也具有一宽度，所述主体部的宽度小于所述膨胀体的宽度。本发明通过此设计增加背光光源的透过效果，从而改善现有面板的穿透率水准，达到提升对比度和增强续航能力的目的。

技术领域

本发明涉及显示领域，特别是一种像素电极、阵列基板及显示装置。

背景技术

在现如今产品像素电极设计中，由于原设计和制造能力的限制，使得实际像素电极的镂空区的两端部中所示为开口较小，导致像素电极的镂空区的两端部会占有原像素电极中的间隔区域。因此，会降低有效电场作用范围，影响像素内液晶分子的有效排布，从而降低整个面板的穿透率效果。

发明内容

本发明的目的是提供一种像素电极、阵列基板及显示装置，以解决现有技术中像素电极的有效电场作用范围小，从而影响了像素内液晶分子的有效排布，进一步降低了整个面板的穿透率效果。

为实现上述目的，本发明提供一种像素电极，所述像素电极包括电极区以及镂空区。所述镂空区分布于所述电极区之间。其中，所述镂空区具有主体部和位于主体部两端的端部，其中所述主体部具有一宽度。至少一端部为膨胀体，其也具有一宽度，所述主体部的宽度小于所述膨胀体的宽度。

进一步地，所述膨胀体为优弧形。

进一步地，位于所述主体部的两端的端部均为膨胀体。

进一步地，位于所述主体部的两端的端部其中一端为膨胀体，另一端延伸至所述电极区并形成镂空的缺口。

进一步地，在所述缺口处，所述电极区形成有拐角，所述拐角的边缘为弧形边缘。

本发明中还提供一种阵列基板，所述阵列基板包括如上所述的像素电极。

进一步地，所述阵列基板还包括薄膜晶体管结构层、平坦层以及钝化层。所述平坦层设于所述薄膜晶体管结构层上。所述钝化层设于所述平坦层上。所述像素电极设于所述钝化层上。

进一步地，所述薄膜晶体管结构层中具有源漏极层。所述平坦层上具有一第一过孔，钝化层上具有一第二过孔，所述第一过孔对应于所述第二过孔，所述像素电极穿过所述第一过孔和所述第二过孔与所述源漏极层连接。

进一步地，所述第一过孔的孔径小于7微米，所述第二过孔的孔径小于5微米。

本发明中还提供一种显示装置，包括如上所述的像素电极。

本发明的优点是：本发明的一种像素电极，通过对其两端部的重新设计，使其边缘其余的液晶分子排布更加接近有效显示区域的液晶分子排布，增加背光光源的透过效果。从而改善现有面板的穿透率水准，达到提升对比度和增强续航能力的目的。并且本发明中的一种阵列基板，其个膜层中的挖孔根据所述像素电极的镂空区的两端部的增大而做出相应的调整，可以进一步消除暗纹，提高背光透过率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例1中像素电极的结构示意图；

图2为本发明实施例2中像素电极的结构示意图；

图3为本发明实施例3中像素电极的结构示意图；

图4为本发明实施例1-3中阵列基板的层状结构示意图。

图中部件表示如下：

像素电极100；