[发明专利]超薄柔性硅太阳电池制备方法

权利要求书

1.一种超薄柔性硅太阳电池制备方法，其特征在于：包括：

提供硅片；

将所述硅片浸入化学溶液中进行表面抛光，形成抛光硅片；

将所述抛光硅片浸入碱液和掩膜颗粒的悬浮液中，进行化学制绒。

2.根据权利要求1所述的超薄柔性硅太阳电池制备方法，其特征在于，所述化学溶液为KOH或NaOH溶液。

3.根据权利要求1所述的超薄柔性硅太阳电池制备方法，其特征在于，所述化学溶液为HNO₃和HF的混合溶液。

4.根据权利要求1所述的超薄柔性硅太阳电池制备方法，其特征在于，所述将所述硅片浸入化学溶液中进行表面抛光为两步：

提供所述硅片浸入到所述化学溶液为KOH或NaOH溶液中，形成碱抛光硅片；

提供所述碱抛光硅片浸入到所述化学溶液为HNO₃和HF的混合溶液中。

5.根据权利要求1所述的超薄柔性硅太阳电池制备方法，其特征在于，所述将所述硅片浸入化学溶液中进行表面抛光为两步：

提供所述硅片浸入到所述化学溶液为HNO₃和HF的混合溶液中，形成酸抛光硅片；

提供所述酸抛光硅片浸入到所述化学溶液为KOH或NaOH溶液中。

6.根据权利要求2、4、5中任意一项所述的超薄柔性硅太阳电池制备方法，其特征在于，所述的KOH或NaOH溶液的质量浓度为10％～30％。

7.根据权利要求2、4、5中任意一项所述的超薄柔性硅太阳电池制备方法，其特征在于，所述KOH或NaOH溶液的温度为60℃～90℃。

8.根据权利要求2、4、5中任意一项所述的超薄柔性硅太阳电池制备方法，其特征在于，所述KOH或NaOH溶液参与抛光的反应时间为10min～40min。

9.根据权利要求3、4、5中任意一项所述的超薄柔性硅太阳电池制备方法，其特征在于，所述HNO₃和HF的混合溶液中HNO₃：HF的质量比为20:1～200:1。

10.根据权利要求3、4、5中任意一项所述的超薄柔性硅太阳电池制备方法，其特征在于，所述HNO₃和HF的混合溶液的温度为8℃～35℃。

11.根据权利要求3、4、5中任意一项所述的超薄柔性硅太阳电池制备方法，其特征在于，所述HNO₃和HF的混合溶液参与抛光的反应时间时间为10min～60min。

12.根据权利要求1-11任意一项所述超薄柔性硅太阳电池制备方法，其特征在于，所述化学制绒中，所述碱液为KOH或NaOH溶液。

13.根据权利要求12所述超薄柔性硅太阳电池制备方法，其特征在于：所述KOH或NaOH溶液的质量浓度为0.5％～5％。

14.根据权利要求12所述超薄柔性硅太阳电池制备方法，其特征在于：所述KOH或NaOH溶液的温度为60℃～90℃。

15.根据权利要求1-14任意一项所述超薄柔性硅太阳电池制备方法，其特征在于，所述化学制绒的时间为5min～25min。

16.根据权利要求1-15任意一项所述的超薄柔性硅太阳电池制备方法，其特征在于，所述硅片的厚度为小于90μm。

17.根据权利要求1-16任意一项所述的超薄柔性硅太阳电池制备方法，其特征在于，掩膜颗粒的质量浓度为2％～10％。