[发明专利]超薄柔性硅太阳电池制备方法在审
申请号: | 201910557480.4 | 申请日: | 2019-06-25 |
公开(公告)号: | CN111916510A | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 陈贤刚;杨苗;徐希翔 | 申请(专利权)人: | 君泰创新(北京)科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/18;C30B29/06;C30B33/10 |
代理公司: | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人: | 孟德栋 |
地址: | 100176 北京市大兴区亦*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 超薄 柔性 太阳电池 制备 方法 | ||
本申请涉及一种超薄柔性硅太阳电池制备方法,包括,提供硅片;将提供所述硅片浸入化学溶液中进行表面抛光,形成抛光硅片;提供所述抛光硅片浸入碱液和掩膜颗粒的悬浮液中,进行化学制绒,通过本发明实施例提供的技术方案能够制备厚度更均匀的超薄柔性硅太阳电池片,并在硅片上形成的金字塔颗粒的尺寸大小降低到0.1~2μm,这样有利于超薄柔性太阳电池片的光吸收,同时降低的电池片的厚度,能够实现柔性和弯曲。
本申请要求于2019年05月07日提交中国专利局、申请号为201910377622.9,发明名称为“超薄柔性硅太阳电池制备方法”的中国专利申请的优先权,其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本申请涉及光伏技术领域,尤其涉及一种超薄柔性硅太阳电池制备方法。
背景技术
异质结非晶硅/晶硅太阳能电池HJT(Hetero-junction with Intrinsic Thinlayer),又名HIT,是一种高效的晶硅电池,具有高开路电压等优点。HJT电池较高的开路电压主要得益于其电池结构中有良好的本征非晶硅的钝化。目前量产的高效硅太阳电池绝大多数采用的是厚度为150-200μm的单、多晶硅片,做成晶硅电池的转换效率为19-21%,如普通p型晶硅技术、p型PERC(Passivated Emitter and Rear Cell,钝化发射极背表面电池)技术和n型PERT(Passivated Emitter,Rear Totally-diffused cell,钝化发射极背表面全扩散电池)技术等。这类电池目前是光伏市场的主流产品,占据整个应用市场的85%以上。
但是,现有量产的高效硅太阳电池的单片重量约为8-11g,即折算到每瓦电池的克重为1.56-2.37g/W,无法进入航空航天、平流层飞艇、无人机、空间站等轻质太阳能应用领域。而且该种电池一般为脆性产品,弯曲弧度较小,也无法应用在柔性太阳能领域。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种超薄柔性硅太阳电池制备方法,其可以实现柔性弯曲。
本申请实施例提供的具体技术方案如下:
一种超薄柔性硅太阳电池制备方法,包括:
提供硅片;
将所述硅片浸入化学溶液中进行表面抛光,形成抛光硅片;
将所述抛光硅片浸入碱液和掩膜颗粒的悬浮液中,进行化学制绒。
在一些实施例中,所述化学溶液为KOH或NaOH溶液。
在一些实施例中,所述化学溶液为HNO3和HF的混合溶液。
在一些实施例中,所述将所述硅片浸入化学溶液中进行表面抛光为两步:
提供所述硅片浸入到所述化学溶液为KOH或NaOH溶液中,形成碱抛光硅片;
提供所述碱抛光硅片浸入到所述化学溶液为HNO3和HF的混合溶液中。
在一些实施例中,所述将所述硅片浸入化学溶液中进行表面抛光为两步:
提供所述硅片浸入到所述化学溶液为HNO3和HF的混合溶液中,形成酸抛光硅片;
提供所述酸抛光硅片浸入到化学溶液为KOH或NaOH溶液中。
在一些实施例中,提供所述硅片浸入到所述化学溶液为KOH或NaOH溶液中,形成碱抛光硅片,其中所述KOH或NaOH溶液的质量浓度为10%~30%。
在一些实施例中,提供所述硅片浸入到所述化学溶液为KOH或NaOH溶液中,形成碱抛光硅片,其中所述KOH或NaOH溶液的温度为60℃~90℃。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的