[发明专利]硅片减薄的处理方法

权利要求书

1.一种硅片减薄的处理方法，用于晶硅太阳能电池，其特征在于：包括：

提供硅片；

将所述硅片浸入各向异性的化学溶液中进行腐蚀减薄，减薄至厚度在90μm以内。

2.根据权利要求1所述的硅片减薄的处理方法，其特征在于，将所述腐蚀减薄后的硅片浸入碱液，进行化学制绒，在所述硅片表面形成具有金刚石颗粒的绒面层，所述绒面层的厚度与硅片厚度的比值小于5％。

3.根据权利要求2所述的硅片减薄的处理方法，其特征在于，将所述腐蚀减薄后的硅片浸入到各向同性的化学溶液中进行腐蚀抛光，腐蚀抛光至所述硅片的粗糙颗粒消除。

4.根据权利要求2所述的硅片减薄的处理方法，其特征在于，所述各向异性的化学溶液包括氢氧化钾溶液、氢氧化钠溶液、氢氧化锂溶液、氢氧化铯溶液、水合氨溶液中的至少一种。

5.根据权利要求2所述的硅片减薄的处理方法，其特征在于，所述各向异性的化学溶液包括乙二胺、邻苯二酚和水混合液，乙醇胺水溶液，四甲基氢氧化铵水溶液中的至少一种。

6.根据权利要求4或5所述的硅片减薄的处理方法，其特征在于，所述各向异性的化学溶液中还包括丙醇、异丙醇和丁醇的至少一种。

7.根据权利要求6所述的硅片减薄的处理方法，其特征在于，所述丙醇、异丙醇和丁醇的质量占所述各向异性的化学溶液的总质量为1％～10％。

8.根据权利要求4或5所述的硅片减薄的处理方法，其特征在于，所述各向异性化学溶液中提供OH^-的物质的质量占所述各向异性的化学溶液的总质量为10％～30％。

9.根据权利要求4或5所述的硅片减薄的处理方法，其特征在于，所述各向异性的化学溶液的反应温度为60℃～90℃。

10.根据权利要求4或5所述的硅片减薄的处理方法，其特征在于，所述各向异性的化学溶液的反应时间为10min～40min。

11.根据权利要求5所述的硅片减薄的处理方法，其特征在于，所述乙二胺、邻苯二酚和水混合液中，所述乙二胺与所述邻苯二酚与所述水的比例为(10～30):(20～60):(1～10)。

12.根据权利要求5所述的硅片减薄的处理方法，其特征在于，所述乙醇胺水溶液中所述乙醇胺与所述水的比例为(30～60):(1～10)。

13.根据权利要求5所述的硅片减薄的处理方法，其特征在于，所述四甲基氢氧化铵水溶液中所述四甲基氢氧化铵与所述水的的比例为(10～30):(1～10)。

14.根据权利要求3所述的硅片减薄的处理方法，其特征在于，所述各向同性的化学溶液包括硝酸和氢氟酸的混合水溶液，所述硝酸和氢氟酸的混合水溶液中硝酸与氢氟酸的质量比为20:1～200:1。

15.根据权利要求14所述的硅片减薄的处理方法，其特征在于，所述硝酸和氢氟酸的混合水溶液的温度为8℃～35℃。

16.根据权利要求14所述的硅片减薄的处理方法，其特征在于，所述硝酸和氢氟酸的混合水溶液的腐蚀抛光的反应时间为10min～60min。

17.根据权利要求2-5、11-16任意一项所述的硅片减薄的处理方法，其特征在于，所述化学制绒中的所述碱液包括氢氧化钾或氢氧化钠或磷酸钾或磷酸钠或碳酸钾或碳酸钠溶液中的至少一种。