[发明专利]硅片减薄的处理方法

说明书

本申请涉及一种硅片减薄的处理方法，包括，提供硅片；将所述硅片浸入各向异性的化学溶液中进行腐蚀减薄，减薄至厚度在90μm以内，通过控制硅片的腐蚀减薄，消除了硅片缺陷损伤层，提升了硅片减薄的均匀性，这样有利于超薄HIT太阳电池片的光吸收，同时降低了金字塔的高度与硅片厚度的比例，有效提升了柔性超薄硅片的韧性，减少了超薄硅片的碎片率。

本申请要求于2019年05月07日提交中国专利局、申请号为201910377622.9，发明名称为“超薄柔性硅太阳电池制备方法”的中国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中。同时，本申请要求于2019年05月14日提交中国专利局、申请号为201910399817.3，发明名称为“硅片减薄的处理方法”的中国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本申请涉及光伏技术领域，尤其涉及一种硅片减薄的处理方法。

背景技术

异质结非晶硅HIT(Hetero-junction with Intrinsic Thin layer)，又名HJT，是一种高效的晶硅电池，具有高开路电压等优点。HIT电池较高的开路电压主要得益于其电池结构中有良好的本征非晶硅的钝化。目前量产的高效硅太阳电池绝大多数采用的是厚度为150μm-200μm的单、多晶硅片，做成晶硅电池的转换效率为19％-21％，如普通p型晶硅技术、p型PERC(Passivated Emitter andRear Cell，钝化发射极背表面电池)技术和n型PERT(Passivated Emitter，RearTotally-diffused cell，钝化发射极背表面全扩散电池)技术等。另外，目前行业上普遍认为，200μm的硅片厚度是多晶硅太阳电池性能减少的起始点，当多晶硅片厚度小于200μm时，多晶硅太阳电池的主要电学参数开始减少。

目前HIT电池片的生产工艺主要包括化学刻蚀，清洗制绒、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、丝网印刷工艺制备完成HIT太阳能电池片。在晶硅太阳能电池行业，以硅片为衬底制作的芯片放置在室外，而且是大面积的芯片(例如晶澳公司生产的多晶硅270W的太阳能电池片，其长宽高为1650*991*35mm)。硅片的硬度都需要满足室外安装和环境的要求，因此业界对硅片的厚度也有相应的要求，避免由于硅片太薄导致芯片硬度不够。而且芯片制造过程中也需要保证硅片和芯片强度，避免破碎或隐裂。

现有的HIT太阳电池片由于厚度为140μm～180μm，该厚度范围的电池几乎不可弯曲，且稍有弯曲也易破碎，一般只作为平板的刚性太阳能组件使用。但是随着能源需求的日趋旺盛，对太阳能电池片拓展应用也产生了必然需求，根据需求制备出满足更多应用场景的电池片，开发柔性HIT电池的技术亟待解决；然而，在当前生产工艺上，在比较薄的状态下对硅片进行加工，柔性超薄硅片比标准硅片更脆弱，需要特殊的操作，并且极易产生碎片。以单晶硅为例，厚度小于50μm的硅片在制作过程中和制作完成后很难搬运，极易破碎。而且这种硅片的生产造价很高，其成本超过标准硅片的10倍。因此开发出碎片率低，且满足柔性HIT电池片要求的硅片减薄技术，以实现HIT电池的柔性应用是行业发展的当务之急。

发明内容

为了解决HIT太阳能电池的柔性应用，克服现有技术中柔性HIT太阳能电池制备过程中超薄硅片易碎、加工难度大的技术问题，本发明实施例提供了一种硅片减薄的处理方法。

本发明实施例提供的具体技术方案如下：

一种硅片减薄的处理方法，用于晶硅太阳能电池，其特征在于：包括：

提供硅片；

将所述硅片浸入各向异性的化学溶液中进行腐蚀减薄，减薄至厚度在90μm以内。