[发明专利]显示装置在审
申请号: | 201910558894.9 | 申请日: | 2019-06-26 |
公开(公告)号: | CN110660828A | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
发明(设计)人: | 金胜勳;金秀燕;成宇镛;尹昇好;张文源 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 程月;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基底 电路层 显示层 显示装置 无机层 底切结构 显示区域 向下延伸 堆叠 穿透 | ||
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
基底;
电路层,位于所述基底上;
显示层,位于所述电路层上;
至少一个孔,位于所述基底的显示区域中,所述至少一个孔穿透所述基底、所述电路层和所述显示层;以及
至少两个凹槽,所述至少两个凹槽围绕所述至少一个孔,所述至少两个凹槽中的每个具有底切结构,
其中,所述基底包括顺序地堆叠的第一基底、第一无机层、第二基底和第二无机层,并且
所述至少两个凹槽中的每个从所述显示层向下延伸到所述第二基底中。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述至少两个凹槽包括最靠近所述至少一个孔并与所述至少一个孔分隔开的第一凹槽以及围绕所述第一凹槽并与所述第一凹槽分隔开的第二凹槽,
所述第二无机层包括延伸到所述第一凹槽中的一对第一尖端,其中,所述一对第一尖端彼此面对以形成所述底切结构,并且
所述第二无机层还包括延伸到所述第二凹槽中的一对第二尖端,其中,所述一对第二尖端彼此面对以形成所述底切结构。
3.根据权利要求2所述的显示装置,所述显示装置还包括桥接件,所述桥接件将所述一对第二尖端沿所述第二凹槽的多个部分彼此连接,其中,所述桥接件与所述一对第二尖端一体地形成,并且所述一对第一尖端沿整个所述第一凹槽彼此分隔开。
4.根据权利要求3所述的显示装置,所述显示装置还包括覆盖所述显示层的封装层,
其中,所述封装层包括顺序地堆叠的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层,并且
所述第一无机封装层覆盖所述第一凹槽的底表面和内壁表面以及所述第二凹槽的底表面和内壁表面。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述第一无机封装层覆盖所述桥接件的下表面。
6.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述有机封装层填充所述第二凹槽。
7.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述第二无机封装层和所述第一无机封装层在所述第一凹槽中彼此接触。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述第一无机封装层和所述第二无机封装层延伸到所述至少一个孔的内侧壁并与所述基底的侧表面接触。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述电路层包括薄膜晶体管,并且所述显示层包括电连接到所述薄膜晶体管的有机发光二极管。
10.一种显示装置,所述显示装置包括:
基底,所述基底包括顺序地堆叠的第一基底、第一无机层、第二基底和第二无机层;
电路层,位于所述基底上;
显示层,位于所述电路层上;
至少一个孔,位于所述基底的显示区域中,所述至少一个孔穿透所述基底、所述电路层和所述显示层;
第一凹槽和第二凹槽,位于所述基底的所述显示区域中,并且所述第一凹槽和所述第二凹槽围绕所述至少一个孔;以及
封装层,所述封装层覆盖所述显示层,
其中,所述第二凹槽与所述第一凹槽分隔开并围绕所述第一凹槽,并且
所述封装层包括填充所述第二凹槽的有机封装层。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述第一凹槽和所述第二凹槽中的每个从所述显示层向下延伸到所述第二基底的一部分中。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述封装层还包括分别设置在所述有机封装层的下方和上方的第一无机封装层和第二无机封装层,并且
所述第一无机封装层和所述第二无机封装层在所述第一凹槽中彼此接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的