[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，包括：

形成栅极，方法包括：

形成栅介电层于基底上；

形成栅电极于该栅介电层上；及

形成氮化物间隙壁于该栅电极的侧壁上；及

形成含磷的介电层于该栅极上，其中该含磷的介电层具有一变化的磷掺杂质密度分布轮廓,

其中该含磷的介电层包括：

第一磷掺杂质密度区域，在该栅极上，并具有一顶点；

第二磷掺杂质密度区域，在该第一磷掺杂质密度区域上，并具有一另一顶点，其中定义在该第一磷掺杂质密度区域的该顶点与该第二磷掺杂质密度区域的该另一顶点之间的直线是偏离一垂直方向, 该第一磷掺杂质密度区域的磷掺杂质密度是高于与该第二磷掺杂质密度区域的磷掺杂质密度。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中该含磷的介电层具有类火焰轮廓部分或类花苞轮廓部分。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中该含磷的介电层具有数个类火焰轮廓部分或类花苞轮廓部分，分别对应多个栅极。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中该含磷的介电层包括第一磷掺杂质密度区域，该第一磷掺杂质密度区域在该栅极的上表面上，并具有从该第一磷掺杂质密度区域的底部分至顶部分逐渐变小的宽度。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中该含磷的介电层包括第一磷掺杂质密度区域，该第一磷掺杂质密度区域在该栅极的上表面上，并具有类三角形状。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，还包括进行蚀刻步骤，该蚀刻步骤对该含磷的介电层具有蚀刻选择性。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，包括通过该蚀刻步骤在该含磷的介电层中形成一接触开口。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，还包括形成接触元件在该接触开口中。

9.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，还包括形成源/漏极在该基底中，其中该接触开口露出该源/漏极与该氮化物间隙壁。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中该含磷的介电层包括磷硅玻璃或硼磷硅玻璃，且该氮化物间隙壁包括氮化硅。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中该氮化物间隙壁具有由上至下逐渐变大的宽度。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中该含磷的介电层的形成方法包括高密度等离子体化学气相沉积方法。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其中该高密度等离子体化学气相沉积的制作工艺参数包括：

沉积速率为5500Å/分～6500Å/分；及

溅射速率为700Å/分～1000Å/分。

14.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底；

栅极，在该基底上；及

含磷的介电层，在该栅极上，其中该含磷的介电层具有变化的磷掺杂质密度分布轮廓，

其中该含磷的介电层包括：

第一磷掺杂质密度区域，在该栅极上，并具有一顶点；

第二磷掺杂质密度区域，在该第一磷掺杂质密度区域上，并具有一另一顶点，其中定义在该第一磷掺杂质密度区域的该顶点与该第二磷掺杂质密度区域的该另一顶点之间的直线是偏离一垂直方向, 该第一磷掺杂质密度区域的磷掺杂质密度是高于与该第二磷掺杂质密度区域的磷掺杂质密度。

15.如权利要求14所述的半导体结构，其中该含磷的介电层具有类火焰轮廓部分或类花苞轮廓部分。

16.如权利要求14所述的半导体结构，其是以如权利要求1至13其中之一所述的半导体结构的形成方法形成。