[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

本发明公开一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括基底、栅极、及含磷的介电层。栅极在基底上。含磷的介电层在栅极上。含磷的介电层具有变化的磷掺杂质密度分布轮廓。

技术领域

本发明涉及一种半导体结构及其形成方法，且特别是涉及一种晶体管及其形成方法。

背景技术

为了在半导体芯片上形成一设计的集成电路(integrated circuits)，一般是制作一光掩模，并在光掩模上形成一设计的布局(layout)图案，再通过黄光光刻(photolithography)制作工艺将光掩模上的图案转移到半导体结构表面的光致抗蚀剂层上，进而将集成电路的布局图案转移到半导体结构上。所以光刻制作工艺可说是半导体制作工艺中非常重要的关键步骤。

由于在光掩模上所能制作出的图案的临界尺寸(critical dimension,CD)会受限于曝光机台(optical exposure tool)的分辨率极限(resolution limit)，因此当集成度(integration)逐渐提高，电路图案设计越来越小，在对这些高密度排列的光掩模进行曝光制作工艺以进行图案转移时，很容易产生光学接近效应(optical proximity effect,OPE)，造成图案转移的偏差(deviation)或是图案变形而影响产品电性特征。

发明内容

本发明提供一种半导体结构及其形成方法，以解决上述问题。

本发明提出一种半导体结构的形成方法，其包括以下步骤。形成栅极，方法包括形成栅介电层于基底上；形成栅电极于栅介电层上；及形成氮化物间隙壁于栅电极的侧壁上。形成含磷的介电层于栅极上。含磷的介电层具有变化的磷掺杂质密度分布轮廓。

本发明另提出一种半导体结构，其包括基底、栅极、及含磷的介电层。栅极在基底上。含磷的介电层在栅极上。含磷的介电层具有变化的磷掺杂质密度分布轮廓。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附的附图详细说明如下：

附图说明

图1为一实施例的半导体结构的形成方法的示意图；

图1A为一实施例的半导体结构的形成方法的示意图；

图1B为一实施例的半导体结构的形成方法的示意图；

图1C为一实施例的半导体结构的形成方法的示意图；

图2为一实施例的半导体结构的形成方法的示意图；

图3为一实施例的半导体结构的形成方法的示意图。

具体实施方式

以下以一些实施例做说明。需注意的是，本发明并非显示出所有可能的实施例，未于本发明提出的其他实施态样也可能可以应用。再者，附图上的尺寸比例并非按照实际产品等比例绘制。因此，说明书和图示内容仅作叙述实施例之用，而非作为限缩本发明保护范围之用。另外，实施例中之叙述，例如细部结构、制作工艺步骤和材料应用等等，仅为举例说明之用，并非对本发明欲保护的范围做限缩。实施例的步骤和结构各细节可在不脱离本发明的精神和范围内根据实际应用制作工艺的需要而加以变化与修饰。以下是以相同/类似的符号表示相同/类似的元件做说明。