[发明专利]一种功率模块及电子设备有效
申请号: | 201910561676.0 | 申请日: | 2019-06-26 |
公开(公告)号: | CN112151521B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 曹俊;马浩华;史波;苏梨梨;廖勇波;敖利波 | 申请(专利权)人: | 珠海零边界集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;G06F21/79 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 吴大建;张杰 |
地址: | 519360 广东省珠海*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功率 模块 电子设备 | ||
本发明涉及电子器件技术领域,具体涉及一种功率模块及电子设备,功率模块通过集成用于存储电子设备的通用程序及参数设置程序的EEPROM芯片和用于存储固化的算法程序的MCU芯片,固化的算法程序不能通过EEPROM芯片被读写,且MCU芯片与EEPROM芯片电连接以读写通用程序和参数设置程序,以使用户通过对EEPROM芯片内的通用程序及参数设置时MCU芯片中存储的算法程序不会被泄露,使功率模块在满足实际需求的同时确保了MCU芯片中算法程序的安全性,进而有效提高了功率模块的安全性能。
技术领域
本发明涉及电子器件技术领域,特别地涉及一种功率模块及电子设备。
背景技术
随着半导体器件技术的发展,功率模块的应用范围也越来越广,功率模块(Intelligent Power Module,IPM)是一种将集成电路技术和电力电子技术集成在一 起的模块,且由于其具有高集成度、高可靠性等优势赢得越来越大的市场,尤其 适合于驱动电机的变频器及各种逆变电源,是变频调速设备、冶金机械、电力牵 引设备、伺服驱动设备以及变频家电的理想电力电子器件。随着功率模块的集成 度越来越高,外围电路也越来越简单。
发明人经研究发现,现有的功率模块中的微控制单元芯片(MicrocontrollerUnit;MCU)在应用过程中通常会被读写,容易造成其应用在电子设备中时关键 算法程序被泄露的情况,因此,现有的功率模块存在安全性能差的问题。
发明内容
本发明提供一种功率模块及电子设备,功率模块通过集成用于存储电子设备 的通用程序及参数设置程序的EEPROM芯片以及用于存储固化的算法程序的 MCU芯片,且MCU芯片中的算法程序不能通过EEPROM芯片被读写,使得功 率模块及电子设备的安全性能更佳。
本发明的提供的功率模块,该功率模块集成有:
用于存储电子设备的通用程序及参数设置程序的EEPROM芯片;以及
用于存储固化的算法程序的MCU芯片,其中,所述固化的算法程序不能通 过所述EEPROM芯片被读写;
所述MCU芯片与所述EEPROM芯片电连接以读写所述通用程序和参数设置 程序。
可选的,在上述功率模块中,所述功率模块还包括HVIC芯片和IGBT芯片, 所述HVIC芯片与所述MCU芯片电连接,所述IGBT芯片与所述HVIC芯片电 连接。
可选的,在上述功率模块中,所述功率模块还包括FRD芯片,所述FRD芯 片与所述HVIC芯片电连接。
可选的,在上述功率模块中,所述功率模块还包括基板,所述EEPROM芯 片、HVIC芯片以及MCU芯片分别设置于所述基板。
可选的,在上述功率模块中,所述基板为表面敷铜的DBC基板,所述 EEPROM芯片和HVIC芯片与所述MCU芯片之间通过所述DBC基板表面的铜 连接。
可选的,在上述功率模块中,所述功率模块还包括安装框架,所述FRD芯片 和所述IGBT芯片分别安装于所述安装框架。
可选的,在上述功率模块中,所述安装框架为铜框架,所述FRD芯片和所述 IGBT芯片分别焊接于所述铜框架,且所述FRD芯片和所述IGBT芯片之间通过 导线键合连接。
可选的,在上述功率模块中,所述EEPROM芯片、MCU芯片、HVIC芯片、 IGBT芯片以及FRD芯片通过绝缘材料封装于一体。
可选的,在上述功率模块中,所述功率模块还包括滤波电路,所述滤波电路 连接于所述MCU芯片与所述HVIC芯片之间。
本发明还提供一种电子设备,上述任意一项所述的功率模块。
可选的,在上述电子设备中,所述电子设备还包括电机,所述电机与所述功 率模块电连接。
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