[发明专利]一种单晶铌酸钾薄膜的制备方法有效
申请号: | 201910561860.5 | 申请日: | 2019-06-26 |
公开(公告)号: | CN110230100B | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 任召辉;傅钢杰;武梦姣;李玮;陈嘉璐;韩高荣 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | C30B29/30 | 分类号: | C30B29/30;C30B29/64;C30B7/10 |
代理公司: | 杭州星河慧专利代理事务所(普通合伙) 33410 | 代理人: | 周丽娟 |
地址: | 310058 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 单晶铌酸钾 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种单晶铌酸钾薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)按摩尔比0.5:1计量称取五氧化二铌和氢氧化钾,将二者溶解于去离子水中并充分搅拌;
2)在搅拌状态下,向步骤1)中再加入氢氧化钾水溶液,继续搅拌2~3h,得到铌和钾的氢氧化物悬浊液;
3)将步骤2)制得的铌和钾的氢氧化物悬浊液加入到反应釜内胆中,用去离子水调节反应釜内胆中的反应物料体积达到反应釜内胆容积的60%-80%,搅拌至少5min,获得前驱体浆料;
4)将单晶掺铌钛酸锶基板按照先后顺序在丙酮、乙醇、去离子水、乙醇中各超声至少10min,随后在50-80℃下干燥,然后将干燥后的掺铌钛酸锶基板垂直置于步骤2)中装有前驱体浆料的反应釜中,使其与反应釜内胆底部的距离为1~2cm;所述的掺铌钛酸锶基板为单抛或双抛的单晶基片,其中,单晶的取向为(001),掺铌浓度高于0.5wt%;
5)将步骤4)中的反应釜内胆置于反应釜中,密封,在220~240℃下保存12~72h进行水热处理,然后让反应釜自然冷却到室温,卸釜后,用去离子水和无水乙醇洗涤反应产物,过滤,烘干,制得沿着011取向生长的单晶铌酸钾薄膜。
2.根据权利要求1所述的单晶铌酸钾薄膜的制备方法,其特征在于,所述的反应釜为聚四氟乙烯内胆,不锈钢套件密闭的反应釜,所述的掺铌钛酸锶基板置于聚四氟乙烯架子上。
3.根据权利要求1所述的单晶铌酸钾薄膜的制备方法,其特征在于,所述的五氧化二铌和氢氧化钾的纯度都不低于化学纯。
4.根据权利要求1所述的单晶铌酸钾薄膜的制备方法,其特征在于,所述的铌的氢氧化物在前驱体浆料中的摩尔浓度为0.005~0.1mol/L,所述的氢氧化钾的总量在前驱体浆料中的摩尔浓度为4-9mol/L。
5.根据权利要求1所述的单晶铌酸钾薄膜的制备方法,其特征在于,所制得的单晶铌酸钾薄膜的厚度为0.5~5μm。
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