[发明专利]一种化合物、光提取材料、有机光电装置及电子设备

说明书

本发明涉及一种化合物、光提取材料、有机光电装置及电子设备，所述化合物具有式(I)的结构，二苯并噻吩或二苯并呋喃母核可以有效的提升折射率，并且取代基全部取代在同一个苯环上，使得二苯并噻吩或二苯并呋喃单元不位于主共轭链上，不会有效地拓展共轭，则不会引起化合物吸收光谱的红移，使化合物本身在可见光区吸收较低，作为光提取材料使用，再配合特定的供电子基团，使化合物具有较高的光提取效率，且器件长时间工作的稳定性高。此外，该化合物还可以用作空穴传输层、光学辅助层、电子阻挡层等有机薄层材料利于提高器件的发光性能。

技术领域

本发明涉及有机电致发光领域，尤其涉及一种化合物、光提取材料、有机光电装置及电子设备。

背景技术

根据有机发光层发出光线的方向，有机发光二极管(OLED)显示器可以分为底发射OLED显示器和顶发射OLED显示器。在底发射OLED显示器中，光线朝向基板发出，反射电极形成在有机发光层上，透明电极形成在有机发光层下。这里，如果OLED显示器是有源矩阵的OLED显示器，其中形成的薄膜晶体管部分不透射光线，所以发光面积减小。另一方面，在顶发射OLED显示器中，透明电极形成在有机发光层上，反射电极形成在有机发光层下，所以光线向基板相反方向发出，从而增加了光线透射面积而改善了亮度。

为了提升发光效率，在基底出光表面形成如褶皱、光子晶体、微透镜陈列(MLA)和在低折射率半反半透电极上添加高折射率表面覆盖层等结构是几种较为常用的方法。前两种结构会影响OLED的辐射光谱角度分布，第三种结构制作工艺复杂，而使用表面覆盖层工艺简单，发光效率提高较为显著，尤为人们关注。

表面覆盖层材料分为无机材料和有机材料两大类。

在蒸镀法制备OLED组件时，为了形成覆盖层，需要使用精细度高的金属掩膜的方案，但所述金属掩膜存在由热带来的形变会导致定位精度变差的问题。即，ZnSe的熔点高至1100℃以上(Appl.Phys.Lett.,2003，82，466)，精细度高的掩膜无法蒸镀在准确的位置。同时，无机物大多蒸镀温度高，不适合使用精细度高的掩膜。基于溅射法的无机物成膜方法也会对发光器件造成损伤，因此无法使用以无机物作为构成材料的覆盖层。

针对目前OLED器件光取出效率低的现状，需要在器件结构中增加一层盖帽层(CPL层)，即光提取材料，根据光学吸收、折射原理，此盖帽层材料的折射率应该越高越好。

目前的CPL材料主要为空穴传输层材料和电子传输型材料。

已知如下的有机电致发光材料：作为用于调整折射率的覆盖层，在使用(8-羟基喹啉)铝(以下简称为Alq₃)的情况下，Alq₃通常用作绿色发光材料或电子输送材料，但其在蓝色发光器件所使用的450nm附近有较弱的吸收。因此，在蓝色发光器件的情况下，存在色纯度降低的问题点。

总的来说，现有技术中的CPL材料存在如下问题：

(1)折射率并不足够高，光取出效果不足够好；

(2)蓝色、绿色以及红色各自的波长区域所测定的折射率之差较大，因此蓝色、绿色以及红色的各发光器件中的所有光无法同时获得高的光提取效率。

现有技术中具有较高折射率和较低吸光率的光提取材料种类较少，因此，本领域亟待开发一种新型的盖帽层材料，具有如下特点：(1)高折射率，光提取效率高；(2)在蓝、绿以及红各自的波长区域内不具有吸收，色纯度不会降低；(3)在蓝色、绿色以及红色各白的波长区域内所测定的折射率之差小；(4)高玻璃化转变温度，高分解温度，材料能蒸镀但不会热分解；(5)材料所成薄膜的稳定性高、耐久性优异，寿命长。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明的目的之一在于提供一种化合物，所述化合物的折射率高，光提取效率高，且在可见光区吸收较低。

为达此目的，本发明采用如下技术方案：