[发明专利]扇出型电路的线路结构及其制造方法有效
申请号: | 201910564556.6 | 申请日: | 2019-06-26 |
公开(公告)号: | CN112086422B | 公开(公告)日: | 2022-12-27 |
发明(设计)人: | 王魏鸿;黄志豪 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;H01L21/60 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 扇出型 电路 线路 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种扇出型电路的线路结构,所述扇出型电路具有一密集线区与一扇出区,所述线路结构包括:
多条密集线,平行于第一方向排列在所述密集线区内;
多个接垫,位于所述扇出区内;以及
多条连接线,平行于第二方向排列在所述扇出区内,并分别连接所述多条密集线中的一条与所述多个接垫中的一个,其中该些所述连接线中的至少一条连接线包括波形线,且该波形线的各波峰形成平行于第二方向的线,所述波形线的振幅在20nm~40nm之间。
2.如权利要求1所述的扇出型电路的线路结构,其中相邻的两条所述连接线中的所述波形线的形状为镜像对称。
3.如权利要求1所述的扇出型电路的线路结构,其中相邻的两条所述连接线中的所述波形线的形状为非对称性结构。
4.如权利要求1所述的扇出型电路的线路结构,其中相邻的两条所述连接线之间的最小距离在150nm~200nm之间。
5.如权利要求1所述的扇出型电路的线路结构,其中所述波形线的周期在70nm~90nm之间。
6.一种扇出型电路的线路结构的制造方法,所述扇出型电路具有一密集线区与一扇出区,所述方法包括:
在一导体层上形成一牺牲层;
在所述牺牲层上形成一图案化光刻胶层,其包括平行于第一方向排列在所述密集线区的多条第一线型图案以及平行于第二方向排列在所述扇出区的多条第二线型图案,所述第二线型图案的至少一侧边呈现波浪状;
将所述多条第一线型图案与所述多条第二线型图案转移至所述牺牲层,以形成多个第一线与多个第二线并暴露出所述导体层,其中所述第二线的至少一侧壁呈现波浪状;
在所述第一线的侧壁与所述第二线的所述至少一侧壁上形成间隙壁;以及
去除所述多个第一线与所述多个第二线;
利用所述间隙壁作为掩模,刻蚀去除暴露出的所述导体层,以使所述导体层成为所述密集线区内的多条密集线以及所述扇出区内的多条连接线,其中所述连接线中至少一条连接线为波形线。
7.如权利要求6所述的制造方法,其中形成所述图案化光刻胶层的方法包括使用在所述第二方向上的强度大于在所述第一方向上的强度的曝光光源。
8.如权利要求6所述的制造方法,其中所述第一方向垂直于所述第二方向。
9.如权利要求6所述的制造方法,其中去除所述多个第一线与所述多个第二线之后,更包括在所述扇出区中形成多个接垫,分别与所述多条连接线相连。
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