[发明专利]扇出型电路的线路结构及其制造方法

说明书

本发明公开了一种扇出型电路的线路结构及其制造方法，该扇出型电路的线路结构中所述扇出型电路具有一密集线区与一扇出区，所述线路结构包括平行于一第一方向排列在所述密集线区内的多条密集线、位于所述扇出区内的多个接垫以及平行于一第二方向排列在所述扇出区内的多条连接线。连接线分别连接一条密集线与一个接垫，其中该些连接线的至少一条连接线为波形线。

技术领域

本发明是有关于一种扇出型电路的线路结构及其制造方法。

背景技术

扇出型电路的线路将存储器阵列中的字元线的密集线(dense lines)阵列图案连接至接垫(pad)的接垫图案。

一般扇出型电路的线路包括具有很多密集线(dense lines)的密集线区以及连接至接垫的扇出区。随着线路密度增加以及元件小型化的发展，密集线区内的线距与线宽也大幅缩小。为了确保曝光工艺中密集线区的解析度，会使用单一方向(与密集线延伸方向正交)的光强度大的光源来进行曝光。然而，这样的曝光方式会导致在密集线区与扇出区交界处的半孤立线(semi-iso line)曝光发生问题，进而冲击工艺裕度(process window)。由于半孤立线仅单侧与其他密集线相邻，其感受的与密集线延伸方向正交的方向的光强度大于其他密集线，导致光刻胶坍塌而无法成形。

目前虽有提出改良掩模图案的研究，但是因为光学上的干涉与衍射作用，而有发生光刻胶倒塌(Peeling)或非预期图案(dummy patterns)被印出(Print out)的问题。

发明内容

本发明提供一种扇出型电路的线路结构，是利用工艺裕度大的光刻工艺所制造出的线路结构，且无非预期图案形成。

本发明另提供一种扇出型电路的线路结构的制造方法，能取得较大的工艺裕度，且不会有非预期图案形成。

本发明的扇出型电路的线路结构包括多条密集线(dense line)、多个接垫(PAD)以及多条连接线。所述扇出型电路具有一密集线区与一扇出区。密集线是平行于一第一方向排列于所述密集线区内，接垫则位于所述扇出区内，而连接线是平行于一第二方向排列于扇出区内，并分别连接一条密集线与一个接垫，其中该些连接线的至少一条连接线为波形线。

在本发明的一实施例中，上述相邻的两条连接线中的波形线的形状为镜像对称。

在本发明的另一实施例中，上述相邻的两条连接线中的波形线的形状为非对称结构。

在本发明的一实施例中，上述相邻的两条连接线之间的最小距离在150nm～200nm之间。

在本发明的一实施例中，上述波形线的周期在70nm～90nm之间。

在本发明的一实施例中，上述波形线的振幅在20nm～40nm之间。

本发明的扇出型电路的线路结构的制造方法，包括在一导体层上形成一牺牲层，再在牺牲层上形成一图案化光刻胶层，这层图案化光刻胶层包括平行于一第一方向排列于一密集线区的多条第一线型图案以及平行于一第二方向排列于一扇出区的多条第二线型图案，该些第二线型图案的至少一侧边呈现波浪状。然后，将所述该些第一线型图案与所述该些第二线型图案转移至牺牲层，以形成多个第一线与多个第二线并露出导体层，其中第二线的至少一侧壁呈现波浪状。在每个第一线的侧壁与至少一第二线的侧壁上形成间隙壁，再将第一线与第二线去除。利用所述间隙壁作为掩模，刻蚀去除暴露出的导体层，以使上述导体层成为密集线区内的多条密集线以及扇出区内的多条连接线，其中该些连接线的至少一条连接线为波形线。

在本发明的另一实施例中，形成上述图案化光刻胶层的方法包括使用在第二方向上的强度大于在第一方向上的强度的曝光光源。

在本发明的另一实施例中，上述第一方向垂直于上述第二方向。

在本发明的另一实施例中，去除上述第一线与第二线之后还可在所述扇出区中形成多个接垫，分别与所述连接线相连。