[发明专利]一种经表面处理的NiO薄膜的全无机QLEDs器件及其制备方法

权利要求书

1.一种经表面处理的NiO薄膜的全无机QLEDs器件，其特征在于：自下而上依次包括ITO导电玻璃(1)、将带巯基功能团的长链化学分子链接至NiO纳米颗粒表面的NiO空穴传输层(2)、CdZnSeS/ZnS量子点层(3)、ZnMgO电子传输层(4)和Al阴极(5)。

2.根据权利要求1所述的一种经表面处理的NiO薄膜的全无机QLEDs器件，其特征在于：所述ITO导电玻璃(1)的厚度为150～200nm，所述经表面处理的NiO空穴传输层(2)的厚度为30～40nm，CdZnSeS/ZnS量子点层(3)的厚度为30～40nm，所述ZnMgO电子传输层(4)的厚度为20～40nm，所述Al阴极(5)的厚度为200～300nm。

3.一种经表面处理的NiO薄膜的全无机QLEDs器件的制备方法，其特征在于包含以下步骤：

(a)分别采用去离子水、丙酮、异丙醇，清洗ITO导电玻璃(1)；

(b)将清洗后的ITO导电玻璃(1)吹干，并放置在紫外处理机中，处理时间为15～30min；

(c)取出步骤(b)处理后的ITO导电玻璃(1)，旋涂50～100ul、浓度为1～20mg/ml的将带巯基功能团的长链化学分子链接至NiO纳米颗粒表面的NiO纳米颗粒溶液；

(d)取50～100ul、浓度为5～20mg/ml的量子点溶液旋涂到步骤(c)所得物上，转速为1000～5000r/min，时间为15～45s，退火；

(e)取50～100ul、浓度为15～45mg/ml的ZnMgO纳米颗粒溶液旋涂到步骤(d)所得物上，退火；

(f)将步骤(e)所得物抽真空并在700～900℃蒸镀铝膜，即制得经表面处理的NiO薄膜的全无机QLEDs器件。

4.根据权利要求3所述的一种经表面处理的NiO薄膜的全无机QLEDs器件的制备方法，其特征在于：所述步骤(a)中，清洗在超声机中进行，超声时间为5～20min，温度为20～40℃。

5.根据权利要求3所述的一种经表面处理的NiO薄膜的全无机QLEDs器件的制备方法，其特征在于：所述步骤(c)中，NiO纳米颗粒溶液的表面处理包含以下步骤：

(1)将NiO纳米颗粒溶解在氯苯、氯仿和正己烷任意一种溶剂中，配成1～20mg/ml的NiO纳米颗粒溶液；

(2)在1000～5000r/min转速下在ITO导电玻璃(1)上旋涂NiO纳米颗粒溶液10～60s；

(3)将旋涂NiO纳米颗粒溶液的ITO导电玻璃(1)室温下浸泡在浓度为5～20mg/ml的表面修饰溶液中0.5～3h；

(4)使用醇类有机物清洗NiO薄膜表面1～5min，清洗后在50～100℃烘烤3～10min。

6.根据权利要求5所述的一种经表面处理的NiO薄膜的全无机QLEDs器件的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中，表面修饰溶液为不同碳链长度的巯基酸，为三巯基丙酸、四巯基丁酸、五巯基戊酸、六巯基己酸、七巯基庚酸、八巯基辛酸、九巯基壬酸、十巯基癸酸、11-巯基十一烷酸中的任意一种。

7.根据权利要求5所述的一种经表面处理的NiO薄膜的全无机QLEDs器件的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)中，醇类有机物为甲醇或乙醇。

8.根据权利要求3所述的一种经表面处理的NiO薄膜的全无机QLEDs器件的制备方法，其特征在于：所述步骤(d)中，退火的温度为80～120℃，时间为5～15min。

9.根据权利要求3所述的一种经表面处理的NiO薄膜的全无机QLEDs器件的制备方法，其特征在于：所述步骤(e)中，退火的温度为60～100℃，时间为5～10min。

10.根据权利要求3所述的一种经表面处理的NiO薄膜的全无机QLEDs器件的制备方法，其特征在于：所述步骤(f)中，抽真空至10^-5～10^-4Pa。