[发明专利]一种经表面处理的NiO薄膜的全无机QLEDs器件及其制备方法

说明书

本发明公开了一种经表面处理的NiO薄膜的全无机QLEDs器件及其制备方法，所述全无机QLEDs器件，自下而上依次包括ITO导电玻璃、经表面处理的NiO空穴传输层、CdZnSeS/ZnS量子点层、ZnMgO电子传输层和Al阴极。所述制备方法包括以下步骤：(a)分别采用去离子水、丙酮、异丙醇，清洗ITO导电玻璃；(b)将清洗后的ITO导电玻璃吹干，紫外处理；(c)取出处理后的ITO导电玻璃，旋涂经表面处理的NiO纳米颗粒溶液；(d)取量子点溶液旋涂到步骤(c)所得物上，退火；(e)取ZnMgO纳米颗粒溶液旋涂到步骤(d)所得物上，退火；(f)将步骤(e)所得物抽真空并蒸镀铝膜。本发明通过构建修饰空穴传输层，降低界面电荷猝灭几率，提高载流子浓度，平衡电子与空穴，提高器件性能。

技术领域

本发明涉及量子点发光二极管及其制法，具体为一种经表面处理的NiO薄膜的全无机QLEDs器件及其制备方法。

背景技术

随着科学技术的发展，发光器件由第一代LEDs器件发展到第三代QLEDs器件，最近几年由于QLEDs器件的各个层得到了较大的优化，使得QLEDs器件的发光强度、效率等得到了大幅度的提升。然而，QLEDs的寿命却未得到相应的提升。由于QLEDs的空穴层大都采用有机物，如PEDOT：PSS、TFB、PVB等，这些有机物受空气中的水氧影响较大，导致器件的寿命无法得到提升，而且PEDOT：PSS本身的吸水性也会对量子点的发光性能产生影响。

虽然NiO纳米颗粒受水氧影响较低，在空气中能保持稳定，但是研究表面，单单引入NiO纳米颗粒无法改善QLEDs器件的使用寿命，反而大幅度降低了QLEDs的发光性能。主要是因为量子点层和NiO层直接发生接触，而NiO纳米颗粒会对量子点产生荧光猝灭效应，导致QLEDs器件的性能大幅降低。因此如何解决NiO纳米颗粒对量子点本身的荧光猝灭效应以及提高QLEDs器件的发光性能和使用寿命仍然是目前的一个挑战。

发明内容

发明目的：为了克服现有技术中存在的不足，本发明目的是提供一种亮度较高、寿命较长的经表面处理的NiO薄膜的全无机QLEDs器件，本发明的另一目的是提供一种成本低、重复性好的经表面处理的NiO薄膜的全无机QLEDs器件及其制备方法。

技术方案：本发明所述的一种经表面处理的NiO薄膜的全无机QLEDs器件，自下而上依次包括ITO导电玻璃、经表面处理的NiO空穴传输层、CdZnSeS/ZnS量子点层、ZnMgO电子传输层和Al阴极。

ITO导电玻璃的厚度为150～200nm，经表面处理的NiO空穴传输层的厚度为30～40nm，CdZnSeS/ZnS量子点层的厚度为30～40nm，ZnMgO电子传输层的厚度为20～40nm，所述Al阴极的厚度为200～300nm。

上述经表面处理的NiO薄膜的全无机QLEDs器件的制备方法，包含以下步骤：

(a)分别采用去离子水、丙酮、异丙醇，在20～40℃超声机中清洗ITO导电玻璃5～20min；

(b)将清洗后的ITO导电玻璃吹干，并放置在紫外处理机中，处理时间为15～30min；

(c)取出步骤(b)处理后的ITO导电玻璃，旋涂50～100ul、浓度为1～20mg/ml的经表面处理的NiO纳米颗粒溶液；

(d)取50～100ul、浓度为5～20mg/ml的量子点溶液旋涂到步骤(c)所得物上，转速为1000～5000r/min，时间为15～45s，在80～120℃退火5～15min；

(e)取50～100ul、浓度为15～45mg/ml的ZnMgO纳米颗粒溶液旋涂到步骤(d)所得物上，在60～100℃退火5～10min；