[发明专利]一种绝缘高强纳米复合材料及其制备方法有效
申请号: | 201910566309.X | 申请日: | 2019-06-27 |
公开(公告)号: | CN110734642B | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 丁鹏;郭含尹;宋娜;施利毅 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | C08L77/02 | 分类号: | C08L77/02;C08K9/00;C08K3/38 |
代理公司: | 广州高炬知识产权代理有限公司 44376 | 代理人: | 孙明科 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 绝缘 高强 纳米 复合材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种绝缘高强纳米复合材料,其特征在于,其由如下原料组成制成,其按重量份数计为:
1)羟基化氮化硼/尼龙6母粒 1~10份
2)尼龙6 100份;
所述的羟基化氮化硼/尼龙6母粒,按重量份数计,是由50~70份羟基化氮化硼、20~45份尼龙6单体、1~5份催化剂或引发剂,经预混、预聚、聚合、出料、造粒、洗涤和干燥后制得;
所述的尼龙6为纯聚酰胺6;
所述的羟基化氮化硼是由粒径为4微米的六方氮化硼经过尖端超声剥离后得到,粒径为400纳米,厚度为5纳米;
所述的尼龙6单体为ε-己内酰胺;
所述的催化剂或引发剂为6-氨基己酸或磷酸。
2.一种制备权利要求1所述绝缘高强纳米复合材料的方法,其特征在于,采用原位接枝技术,使高填量氮化硼均匀分散在基体中,以降低界面热阻,其包括如下步骤:
(1)制备羟基化氮化硼/尼龙6母粒:通过原位聚合法,在己内酰胺中添加50%~70%含量的羟基化氮化硼,进行己内酰胺的开环聚合,通过和表面官能团之间的接枝反应,将尼龙接枝到羟基化氮化硼上,从而制备出高含量羟基化氮化硼/尼龙6母粒;
(2)熔融共混:将设定比例的羟基化氮化硼/尼龙6母粒与尼龙6在240~260℃的密炼机中熔融共混,密炼复合1~4小时,出料后即得绝缘高强羟基化氮化硼/尼龙6纳米复合材料。
3.根据权利要求2所述绝缘高强纳米复合材料的制备方法,其特征在于,所述的步骤(1),具体包括如下步骤:
(11)制备羟基化氮化硼纳米片:以六方氮化硼为原料,采用尖端超声技术,通过溶液剥落法制备了羟基化氮化硼纳米片:将1g氮化硼粉末分散于100 mL 0.05 wt% 胆酸钠水溶液中,在超声粉碎机中尖端超声处理10h可制得10mg·mL−1羟基化氮化硼纳米片;
(12)制备预混物:将羟基化氮化硼、尼龙6单体与催化剂或引发剂混合,并在80~85℃下超声分散1~4小时,形成预混物;
(13)制备预聚物:将预混物真空干燥1~3小时后,在160~200℃和氮气保护下预聚合1~4小时,形成预聚物;
(14)将预聚物在240~260℃和氮气保护下聚合4~10小时,并在聚合结束前的1~3小时进行减压脱除小分子操作,体系内部保持真空;
(15)在氮气保护下出料,经过造粒、洗涤和干燥后,即得羟基化氮化硼/尼龙6母粒。
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