[发明专利]半导体制程分析系统以及分析方法、计算机可读存储介质

说明书

本发明涉及一种半导体制程分析系统以及分析方法、计算机可读存储介质，分析方法包括：建立芯片地图库，芯片地图库包括按时间轴排序的多个芯片地图，所述时间轴表征不同批次晶圆经历同一制程的时间，针对经历同一制程的不同批次晶圆建立所述多个芯片地图，且芯片地图表征晶圆经历同一制程的时间以及对应的性能数据；基于芯片地图库，获取性能数据的分布模式；基于性能数据的分布模式，获取制程的异常情况。本发明实施例提供一种全新的分析方法，有利于提高分析效率以及分析准确率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体制程分析系统以及分析方法、计算机可读存储介质。

背景技术

半导体制造阶段一般可分为前段制程(FEOL，Front End of Line)和后段制程(BEOL，Back End of Line)，经由前段制程和后段制程在晶圆(wafer)上形成多个具有特定集成电路的芯片(die)。

如何提高生产良率并降低生产过程中产生的异常损失，是每个半导体厂一直追求的目标。在芯片封装之前，分析晶圆上各芯片性能，有助于反馈分析半导体制程中存在的异常因素，以消除该异常因素，从而提高生产良率并降低生产过程中的异常损失。

然而，目前的半导体制程分析方法较为复杂，不利于直观的分析制程异常行为。

发明内容

本发明提供一种半导体制程分析系统以及分析方法、计算机可读存储介质，以解决现有分析过程中图表绘制工作繁琐的问题。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种半导体制程分析方法，包括：建立芯片地图库，所述芯片地图库包括按时间轴排序的多个芯片地图，所述时间轴表征不同晶圆经历同一制程的时间，针对经历同一制程的不同批次晶圆建立所述多个芯片地图，且所述芯片地图表征晶圆经历同一制程的时间以及对应的性能数据；基于所述芯片地图库，获取所述性能数据的分布模式；基于所述性能数据的分布模式，获取所述制程的异常情况。

另外，所述基于所述性能数据的分布模式，获取所述制程的异常情况，包括：判断所述性能数据的分布模式中是否具有异常数据分布模式；当判断所述性能数据的分布模式中具有异常数据分布模式时，判定所述异常数据分布模式对应的所述制程有异常。

另外，同一批次晶圆的数量为多片，且同一批次晶圆在同一制程经过的机台为多个；所述芯片地图还表征晶圆经过的机台。

另外，所述基于所述芯片地图库、获取所述性能数据的分布模式的步骤，包括：获取同一制程的给定时间段的所有芯片地图以及相应的性能数据；采用预设的分组标准，对获取的所有芯片地图进行分组，获取多组芯片地图；获取所述多组芯片地图对应的所述性能数据的分布模式。

另外，获取所述制程的异常情况，包括：比对所述不同组芯片地图对应的所述性能数据的分布模式，获取所述制程的异常情况。

另外，所述比对所述不同组芯片地图对应的所述性能数据的分布模式的方法，包括：选取所述多组芯片地图中的至少一组作为对照组芯片地图，且所述对照组芯片地图对应具有对照组性能数据的分布模式；将其他组芯片地图对应的所述性能数据的分布模式与所述对照组性能数据的分布模式进行比对。

另外，所述预设的分组标准，包括：以时间段作为所述预设的分组标准、以不同机台作为所述预设的分组标准、或者以不同批次晶圆作为预设的分组标准。

另外，针对具有可疑情况的晶圆，采用预设的分组标准，对获取的所有芯片地图进行分组还包括：提供分组模式转换分组步骤，按照至少两种分组标准，对获取的所有芯片地图进行分组，获取多组芯片地图。

另外，所述性能数据包括良率数据、缺陷数据或者膜厚数据。

相应的，本发明实施例还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现上述半导体制程分析方法的步骤。