[发明专利]铁铟环状复合微晶磁盘制造方法有效

专利信息
申请号: 201910568317.8 申请日: 2019-06-27
公开(公告)号: CN110253980B 公开(公告)日: 2021-04-06
发明(设计)人: 林绍义;陈成春 申请(专利权)人: 福建船政交通职业学院
主分类号: B32B5/16 分类号: B32B5/16;B32B15/01;B32B15/16;C22C28/00;C22C30/00;C22C38/00;B32B37/02
代理公司: 福州智理专利代理有限公司 35208 代理人: 康永辉
地址: 350000 福*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 环状 复合 磁盘 制造 方法
【权利要求书】:

1.铁铟环状复合微晶磁盘制造方法, 其特征在于:铁铟环状复合微晶磁盘制造方法是,在磁盘零件的相应表面进行精磨或抛光加工、除油除锈、清洗、干燥,在干燥洁净的空气环境中,立即覆盖一层平整洁净的含铟不少于85%的薄铟层材料,在薄铟层材料上覆盖一层平整洁净的含铁不少于85%的薄层材料;将两台超声波发射器按相应的角度和位置对准零件表面且无直接接触,两台超声波发射器的输入功率分别符合正弦曲线或余弦曲线或近似正弦曲线或近似余弦曲线;接通电源,超声波发射器正常工作;调整好大功率激光束功率和合适照射面积,用大功率激光束照射零件表面、照射时间在5秒内;快速冷却,在零件表面形成一表面材料层;表面材料层主要成分为含铁超过40 Wt%且含铟超过30Wt%,由不少于4个直径小于200nm的球状晶粒或近似球状晶粒紧密结合组成复合球微晶单元、分布组成密闭状的外环或缺口小于2μm的外环,环内密排许多的单个直径小于200nm的晶粒或由不少于2个直径小于200nm的球状晶粒或近似球状晶粒紧密结合组成的复合微晶,形成一个环状复合微晶,不同的环状复合微晶之间存在大于10nm的间隙;零件表面材料层和基体材料成为一体,去除各孔附着的表面材料层,形成铁铟环状复合微晶磁盘制造方法。

2.根据权利要求1所述的铁铟环状复合微晶磁盘制造方法,其特征在于:所述的铁铟环状复合微晶磁盘制造方法的环状复合微晶的形状和尺寸可以变化。

3.根据权利要求1所述的铁铟环状复合微晶磁盘制造方法,其特征在于:所述的铁铟环状复合微晶磁盘制造方法,在磁盘零件的相应表面进行精磨或抛光加工、除油除锈、清洗、干燥,在干燥洁净的空气环境中,在精磨或抛光表面立即覆盖一层平整洁净的含铟不少于85%的中间材料层,中间材料层的尺寸大小与零件表面相适、与零件贴合良好无皱折;在中间材料层上覆盖一层平整洁净的纯铟材料,纯铟材料的尺寸大小与零件表面相适、纯铟材料贴合良好无皱折;在纯铟材料上覆盖一层平整洁净的含铁不少于85%的薄层材料;将两台超声波发射器按相应的角度和位置对准零件表面且无直接接触,两台超声波发射器的输入功率分别符合正弦曲线或余弦曲线或近似正弦曲线或近似余弦曲线;接通电源,超声波发射器正常工作;调整好大功率激光束功率和合适照射面积,用大功率激光束照射零件表面、照射时间在5秒内;快速冷却,在零件表面形成一表面材料层;表面材料层主要成分为含铁超过40Wt%且含铟超过30 Wt%,由不少于4个直径小于200nm的球状晶粒或近似球状晶粒紧密结合组成复合球微晶单元、分布组成密闭状的外环或缺口小于2μm的外环,环内密排许多的单个直径小于200nm的晶粒或由不少于2个直径小于200nm的球状晶粒或近似球状晶粒紧密结合组成的复合微晶,形成一个环状复合微晶,不同的环状复合微晶之间存在大于10nm的间隙;零件表面材料层和基体材料成为一体,去除各孔附着的表面材料层,形成铁铟环状复合微晶磁盘制造方法。

4.根据权利要求1所述的铁铟环状复合微晶磁盘制造方法,其特征在于:所述的铁铟环状复合微晶磁盘制造方法,在干燥洁净的空气环境中,将40Cr钢材料在170℃条件下保温5分钟,快速冷却,通过机械加工方法制成磁盘零件,在磁盘零件的相应表面进行磨削加工、清洁、除油、除锈后,进行精磨、超声波清洗、干燥后,在精磨表面立即覆盖一层平整洁净的厚0.2 mm的纯铟材料,纯铟材料的尺寸大小与磁盘零件表面相适、纯铟材料贴合良好无皱折;再覆盖一层平整洁净的厚0.2 mm的40Cr钢薄片,尺寸大小与磁盘零件表面相适、与纯铟材料贴合良好无皱折;

将压缩空气经塑料导管通过气动三联件、调节阀,通入空箱,10分钟后,关闭调节阀;

用螺钉将加热器固定在支架C 上,用螺钉将超声波发射器A 固定在调节支架A 上,用螺钉将超声波发射器B 固定在调节支架B 上;调节支架A、支架B、支架C,将零件和两台超声波发射器的高度调整合适;零件固定放置在加热器上;用加热器将零件加热至90~100℃;将两台超声波发射器按相应的角度和位置对准磁盘零件表面且无直接接触,两台超声波发射器的输入功率分别符合正弦曲线或余弦曲线或近似正弦曲线或近似余弦曲线;接通电源,超声波发射器正常工作;调整好大功率激光束功率和合适照射面积,用大功率脉冲激光束照射零件表面0.3秒,快速冷却,形成表面材料层;用细刮刀对各孔附着的表面材料层进行去除,形成了铁铟环状复合微晶磁盘。

5.根据权利要求1所述的铁铟环状复合微晶磁盘制造方法,其特征在于:所述的铁铟环状复合微晶磁盘制造方法,在干燥洁净的空气环境中,将40Cr钢材料在170℃条件下保温5分钟,快速冷却,通过机械加工方法制成磁盘零件,在磁盘零件的相应表面进行磨削加工、清洁、除油、除锈后,进行精磨、超声波清洗、干燥后,在精磨表面立即覆盖一层平整洁净的厚0.1 mm的含铟不少于85%的Sn-Cu-In材料的中间材料层,中间材料层的尺寸大小与零件表面相适、与零件贴合良好无皱折;在中间材料层上覆盖一层平整洁净的厚0.2 mm的纯铟材料,纯铟材料的尺寸大小与零件表面相适、纯铟材料贴合良好无皱折;再覆盖一层平整洁净的厚0.2 mm的40Cr钢薄片,尺寸大小与磁盘零件表面相适、与纯铟材料贴合良好无皱折;

将压缩空气经塑料导管通过气动三联件、调节阀,通入空箱,10分钟后,关闭调节阀;

用螺钉将加热器固定在支架C上,用螺钉将超声波发射器A固定在调节支架A上,用螺钉将超声波发射器B固定在调节支架B上;调节支架A、支架B、支架C,将零件和两台超声波发射器的高度调整合适;零件固定放置在加热器上;将两台超声波发射器按相应的角度和位置对准磁盘零件表面且无直接接触,两台超声波发射器的输入功率分别符合正弦曲线或余弦曲线或近似正弦曲线或近似余弦曲线;接通电源,超声波发射器正常工作;调整好大功率激光束功率和合适照射面积,用大功率脉冲激光束照射零件表面0.35秒,快速冷却,形成表面材料层;用细刮刀对各孔附着的表面材料层进行去除,形成了铁铟环状复合微晶磁盘。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建船政交通职业学院,未经福建船政交通职业学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910568317.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top