[发明专利]铁铟环状复合微晶磁盘制造方法

说明书

本发明涉及铁铟环状复合微晶磁盘制造方法。本发明铁铟环状复合微晶磁盘制造方法实现表面材料层主要成份为含铁超过40%(Wt%)且含铟超过30%(Wt%)，由许多直径小于200nm的球状晶粒或近似球状晶粒组成的复合微晶，形成一个环状复合微晶，不同的环状复合微晶之间存在大于10nm的间隙，能在磁盘表面的磁流变液形成微磁体的复合粘弹性磁流变液状态。

技术领域

本发明涉及铁铟环状复合微晶磁盘制造方法。

背景技术

磁盘可用来约束流动的液体或气体，从而改变流经的液体或气体的路径和状态和速度等，是磁流变或气体流变等领域的重要零部件之一。

磁盘通常是可以移动或是一种转动的转子。铁铟环状复合微晶磁盘相关制造技术，是获得质量稳定的铁铟环状复合微晶磁盘的前提。

本发明的一种铁铟环状复合微晶磁盘制造方法，是为能有效改变流经的液体或气体的路径和状态和速度等参数而研发的。

文献检索和专利检索结果，目前国内还没有含铁超过40%( Wt%)且含铟超过30%(Wt%)的铁铟环状复合微晶磁盘制造方法的相关专利文献报导。

发明内容

本发明的任务是提供一种铁铟环状复合微晶磁盘制造方法，本发明的任务是通过如下技术方案来实现的: 本发明的铁铟环状复合微晶磁盘制造方法是，在磁盘零件的相应表面进行精磨或抛光加工、除油除锈、清洗、干燥，在干燥洁净的空气环境中，立即覆盖一层平整洁净的含铟不少于85%的薄铟层材料，在薄铟层材料上覆盖一层平整洁净的含铁不少于85%的薄层材料；将两台超声波发射器按相应的角度和位置对准零件表面且无直接接触，两台超声波发射器的输入功率分别符合正弦曲线或余弦曲线或近似正弦曲线或近似余弦曲线；接通电源，超声波发射器正常工作；调整好大功率激光束功率和合适照射面积，用大功率激光束照射零件表面、照射时间在5秒内；快速冷却，在零件表面形成一表面材料层；表面材料层主要成份为含铁超过40%( Wt%)且含铟超过30%( Wt%)，由不少于4个直径小于200nm的球状晶粒或近似球状晶粒紧密结合组成复合球微晶单元、分布组成密闭状的外环或缺口小于2μm的外环，环内密排许多的单个直径小于200nm的晶粒或由不少于2个直径小于200nm的球状晶粒或近似球状晶粒紧密结合组成的复合微晶，形成一个环状复合微晶，不同的环状复合微晶之间存在大于10nm的间隙；零件表面材料层和基体材料成为一体，去除各孔附着的表面材料层，形成铁铟环状复合微晶磁盘制造方法。

所述的铁铟环状复合微晶磁盘制造方法的环状复合微晶的形状和尺寸可以变化。

所述的铁铟环状复合微晶磁盘制造方法是，在磁盘零件的相应表面进行精磨或抛光加工、除油除锈、清洗、干燥，在干燥洁净的空气环境中，在精磨或抛光表面立即覆盖一层平整洁净的含铟不少于85%的的中间材料层，中间材料层的尺寸大小与零件表面相适、与零件贴合良好无皱折；在中间材料层上覆盖一层平整洁净的纯铟材料，纯铟材料的尺寸大小与零件表面相适、纯铟材料贴合良好无皱折；在纯铟材料上覆盖一层平整洁净的含铁不少于85%的薄层材料；将两台超声波发射器按相应的角度和位置对准零件表面且无直接接触，两台超声波发射器的输入功率分别符合正弦曲线或余弦曲线或近似正弦曲线或近似余弦曲线；接通电源，超声波发射器正常工作；调整好大功率激光束功率和合适照射面积，用大功率激光束照射零件表面、照射时间在5秒内；快速冷却，在零件表面形成一表面材料层；表面材料层主要成份为含铁超过40%( Wt%)且含铟超过30%( Wt%)，由不少于4个直径小于200nm的球状晶粒或近似球状晶粒紧密结合组成复合球微晶单元、分布组成密闭状的外环或缺口小于2μm的外环，环内密排许多的单个直径小于200nm的晶粒或由不少于2个直径小于200nm的球状晶粒或近似球状晶粒紧密结合组成的复合微晶，形成一个环状复合微晶，不同的环状复合微晶之间存在大于10nm的间隙；零件表面材料层和基体材料成为一体，去除各孔附着的表面材料层，形成铁铟环状复合微晶磁盘制造方法。