[发明专利]一种膜层结构、膜层结构的制备方法和触控屏在审
| 申请号： | 201910569147.5 | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110184567A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 沈登涛;曾一鑫 | 申请（专利权）人： | 信利光电股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/10 | 分类号： | C23C14/10;C23C14/08;C23C14/34;C23C14/35;C23C14/58;G06F3/041 |
| 代理公司： | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人： | 王仲凯 |
| 地址： | 516600 广东省汕*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 膜层结构 基板 背离 触控屏 制备 申请 附着能力 使用寿命 非晶 膜层 延缓 | ||
1.一种膜层结构，其特征在于，包括：
基板；
位于所述基板上的BM材料；
位于所述BM材料背离所述基板的表面的非饱和SiO2膜层；
位于所述非饱和SiO2膜层背离所述BM材料的表面的IM膜层；
位于所述IM膜层背离所述非饱和SiO2膜层表面的ITO膜层。
2.根据权利要求1所述的膜层结构，其特征在于，所述ITO膜层包括：
位于所述IM膜层背离所述非饱和SiO2膜层的表面的第一折射率层；
位于所述第一折射率层背离所述IM膜层的表面的第二折射率层；
其中，所述第一折射率层对应的折射率大于所述第二折射率层对应的折射率。
3.根据权利要求2所述的膜层结构，其特征在于，所述第一折射率层是氧化钛、氧化铌、氧化钽、氧化铌和氧化钽的混合物中的一种或者多种构成的膜层。
4.根据权利要求2所述的膜层结构，其特征在于，所述第二折射率层是氧化硅、氧化硅和氧化铝的混合物、氧化硅和氧化硼的混合物、氧化硅和氧化磷的混合物中的一种或者多种构成的膜层。
5.根据权利要求1所述的膜层结构，其特征在于，所述非饱和SiO2膜层的厚度取值范围是9nm-99nm，包括端点值。
6.根据权利要求1所述的膜层结构，其特征在于，所述BM材料的厚度取值范围是1.5μm-3μm，包括端点值。
7.根据权利要求1所述的膜层结构，其特征在于，所述IM膜层的厚度取值范围是30nm-80nm，包括端点值。
8.根据权利要求1所述的膜层结构，其特征在于，所述基板是玻璃或PET基板。
9.一种膜层结构的制备方法，其特征在于，包括：
在基板上形成BM材料；
在所述BM材料背离所述基板的表面形成非饱和SiO2膜层；
在所述非饱和SiO2膜层背离所述BM材料的表面形成IM膜层；
在所述IM膜层背离所述非饱和SiO2膜层的表面形成ITO膜层。
10.一种触控屏，其特征在于，包括如权利要求1至8任一项所述的膜层结构。
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