[发明专利]一种膜层结构、膜层结构的制备方法和触控屏

说明书

本申请公开了一种膜层结构，包括：基板；位于基板上的BM材料；位于BM材料背离基板的表面的非饱和SiO₂膜层；位于非饱和SiO₂膜层背离BM材料的表面的IM膜层；位于IM膜层背离非饱和SiO₂膜层表面的ITO膜层。可见，本申请通过在BM材料与IM膜层之间增加一个非饱和SiO₂膜层，将具有非晶特性的非饱和SiO₂膜层作为延缓层，增强了膜层间的附着能力，进而提高了产品的使用寿命。本申请同时还提供了一种膜层结构的制备方法和触控屏，均具有上述有益效果。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种膜层结构、膜层结构的制备方法和触控屏。

背景技术

随着触摸屏的应用日益宽广，很多触摸屏会在较为苛刻的自然条件下使用并且对产品的使用年限也增长，产品制作过程的选材和工艺上的要求就更高。其中对真空镀膜的要求也越高，特别是对于膜层与基板之间的附着能力，直接决定了产品能否承受各种自然条件的指标。

正常OGS产品IM镀膜的膜层堆叠结构包括：基板，设置于基板上的BM材料，设置在BM材料的远离基板的表面上的IM膜层，设置在IM膜层的远离BM材料的表面的ITO膜层，由于BM材料在制作过程中，会在残留一些有机物质，普通的对于增加了BM材料的基板进行清洗处理镀膜后，BM材料与IM膜层之间的键合能力较差，经过其他制程或者可靠性后，膜层的附着能力变弱，降低产品的使用寿命。

因此，如何提供一种解决上述技术问题的方案是本领域技术人员目前需要解决的问题。

发明内容

本申请的目的是提供一种膜层结构、膜层结构的制备方法和触摸屏，能够提升BM材料与IM膜层的附着能力。其具体方案如下：

本申请公开了一种膜层结构，包括：

基板；

位于所述基板上的BM材料；

位于所述BM材料背离所述基板的表面的非饱和SiO₂膜层；

位于所述非饱和SiO₂膜层背离所述BM材料的表面的IM膜层；

位于所述IM膜层背离所述非饱和SiO₂膜层表面的ITO膜层。

可选的，所述ITO膜层包括：

位于所述IM膜层背离所述非饱和SiO₂膜层的表面的第一折射率层；

位于所述第一折射率层背离所述IM膜层的表面的第二折射率层；

其中，所述第一折射率层对应的折射率大于所述第二折射率层对应的折射率。

可选的，所述第一折射率层是氧化钛、氧化铌、氧化钽、氧化铌和氧化钽的混合物中的一种或者多种构成的膜层。

可选的，所述第二折射率层是氧化硅、氧化硅和氧化铝的混合物、氧化硅和氧化硼的混合物、氧化硅和氧化磷的混合物中的一种或者多种构成的膜层。

可选的，所述非饱和SiO₂膜层的厚度取值范围是9nm-99nm，包括端点值。

可选的，所述BM材料的厚度取值范围是1.5μm-3μm，包括端点值。

可选的，所述IM膜层的厚度取值范围是30nm-80nm，包括端点值。

可选的，所述基板是玻璃或PET基板。

本申请公开了一种膜层结构的制备方法，包括：

在基板上形成BM材料；