[发明专利]一种钙掺杂氮化硅石墨烯糊电极传感器的制备方法

权利要求书

1.一种钙掺杂氮化硅石墨烯糊电极传感器的制备方法，其特征在于，该方法具有以下工艺步骤：

(1)金改性氮化硅制备：在反应器中，按如下质量百分比加入，乙醇：52～56％，3-巯丙基三乙氧基硅烷：24～28％，搅拌均匀，再加入纳米氮化硅：18～22％，各组分之和为百分之百，于50±2℃恒温、搅拌、回流反应5h，冷却后，固液分离，用去离子水洗涤至中性，干燥，将固体按固液比为1g：15～25mL放入0.01mol/L金溶液浸泡6h，固液分离，用去离子水洗涤至中性，干燥，得到金改性氮化硅；

(2)钙掺杂含碳量子点胶黏剂：在反应釜中，按如下质量百分比加入，1-丁基-3-甲基咪唑对甲苯磺酸盐：67～71％，葡萄糖酸钙：8～10％，脱脂棉：20～24％，搅拌均匀，各组分质量百分比之和为百分之百，密封，置于110±2℃烘箱中，恒温反应8～10h，冷至室温，即得淡黄色粘稠液体为钙掺杂含碳量子点胶黏剂；

(3)金改性氮化硅/石墨烯/钙掺杂含碳量子点混合物碳糊的制备：在玛瑙研钵中，按如下质量百分比加入，金改性氮化硅：34～38％，氧化石墨烯：28～32％，钙掺杂含碳量子点胶黏剂：10～14％，聚丙烯酸铵：3～5％，乙醇：14～20％，各组分质量百分比之和为百分之百，研磨均匀，即得金改性氮化硅/石墨烯/钙掺杂含碳量子点混合物碳糊；

(4)钙掺杂氮化硅石墨烯糊电极传感器的制备：将步骤(3)制备的金改性氮化硅/石墨烯/钙掺杂含碳量子点混合物碳糊装入连有导线的内径 为5mm的玻璃管内，排出气体，压实，干燥，用金相砂纸打磨，抛光，去离子水、乙醇洗涤，即得钙掺杂氮化硅石墨烯糊电极传感器。

2.根据权利要求1所述的一种钙掺杂氮化硅石墨烯糊电极传感器的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述的聚丙烯酸铵的分子量在1500～4000之间。

3.根据权利要求1所述的一种钙掺杂氮化硅石墨烯糊电极传感器的制备方法所制备的钙掺杂氮化硅石墨烯糊电极传感器。