[发明专利]一种基于GT35球碗零件内表面制备TiN厚膜的方法

权利要求书

1.一种基于GT35球碗零件内表面制备TiN厚膜的方法，其特征在于：将零件置于真空炉内抽真空并加热，随后向真空炉内通入氩气对球碗内表面进行氩离子刻蚀，完成氩离子刻蚀后开启钛靶在刻蚀后的球碗内表面镀打底层，打底层将球碗零件内表面全覆盖后钛靶继续工作，并开始通入非饱和量的氮气沉积过渡层，氮气通入量随沉积时间阶梯增加，形成钛和氮化钛共存的过渡层，沉积时间随氮气通入量的增加而延长，当过渡层厚度大于等于10μm后开始持续通入饱和量的氮气沉积形成氮化钛层，该氮化钛层大于等于6μm后即可冷却出炉。

2.根据权利要求1所述的一种基于GT35球碗内表面制备TiN厚膜的方法，其特征在于：在氩离子刻蚀、镀打底层、沉积过渡层以及沉积氮化钛层时温度控制在360～400℃。

3.根据权利要求1或2所述的一种基于GT35球碗内表面制备TiN厚膜的方法，其特征在于：初始炉内压为4×10^-5mbar，氩离子刻蚀、镀打底层以及沉积氮化钛层时炉内压均保持在3×10^-2mbar；沉积过渡层分时分三次不同氮气量实施，氮气量通过炉内压控制，沉积过渡层时炉内压依次为6×10^-3mbar、1×10^-2mbar、2×10^-2mbar，沉积过渡层时对应各炉内压的沉积时间分别为30分钟、60分钟、120分钟。

4.根据权利要求3所述的一种基于GT35球碗内表面制备TiN厚膜的方法，其特征在于：氩离子刻蚀电压为500V，镀打底层电流和电压分别为60A和200V，沉积过渡层电流和电压分别为80A和180V，沉积氮化钛层电流和电压分别为80A和180V。