[发明专利]晶圆处理模组与其操作方法及处理装置有效
申请号: | 201910572416.3 | 申请日: | 2019-06-28 |
公开(公告)号: | CN110660704B | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
发明(设计)人: | 廖诗瑀;郭仕奇;洪蔡豪;李宗宪 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 模组 与其 操作方法 装置 | ||
1.一种晶圆处理模组,其特征在于,该晶圆处理模组包括:
一第一空间包括一基板支撑件,该基板支撑件被配置为支撑一晶圆;
一第二空间包括一第一部件、一第二部件与位于该第一部件与该第二部件之间的一开口;
一遮挡器,该遮挡器被配置为相对于该基板支撑件移动,其中该遮挡器位于该第一空间与该第二空间之间且配置以阻挡该开口,且靠近该第一部件;以及
一量测装置,该量测装置被配置为:
量测该遮挡器与该第一部件之间的一电容;以及
基于该量测的电容来计算该遮挡器与该第一部件之间的一距离。
2.根据权利要求1所述的晶圆处理模组,其特征在于,该第一部件包括该晶圆处理模组的一上壁部分。
3.根据权利要求1所述的晶圆处理模组,其特征在于,该量测装置并联电连接到由该遮挡器和该第一部件形成的一电容器。
4.根据权利要求1所述的晶圆处理模组,其特征在于,该量测装置包括一第一端子和一第二端子,其中该第一端子电连接到该遮挡器,并且该第二端子电连接到该第一部件。
5.根据权利要求1所述的晶圆处理模组,其特征在于,该量测装置是一电容计。
6.根据权利要求1所述的晶圆处理模组,其特征在于,当该遮挡器位于该第一空间与该第二空间之间且配置以阻挡该开口时该遮挡器在一第一位置,且当该遮挡器位于一第二位置时,该遮挡器低于该第一部件使得该第一空间与该第二空间形成一开放空间以移动该晶圆从该第二空间到该第一空间中的该基板支撑件。
7.根据权利要求1所述的晶圆处理模组,其特征在于,该计算的距离在0.5mm与1mm之间的一范围内。
8.一种晶圆处理模组的操作方法,其特征在于,该方法包括:
在一晶圆处理模组的一第一隔室中相对于一基板支撑件移动一遮挡器,其中该遮挡器位于该基板支撑件与在该晶圆处理模组的一第二隔室中的一壁之间,该壁包括一上壁部分与一下壁部分,且该上壁部分与该下壁部分由其之间的一开口隔开;
利用一量测装置来确定响应于靠近该上壁部分的该遮挡器其与该上壁部分之间的一距离,其中该遮挡器位于该第一隔室与该第二隔室之间且配置以阻挡该上壁部分与该下壁部分之间的该开口;
响应于该距离大于一个值,将一基板转移到一基板支撑;以及
响应于该距离等于或小于该值,重置该遮挡器。
9.根据权利要求8所述的晶圆处理模组的操作方法,其特征在于,重置该遮挡器包括更换被配置为移动该遮挡器的一移动组件的一个或多个部件。
10.根据权利要求8所述的晶圆处理模组的操作方法,其特征在于,重置该遮挡器包括用具有比该遮挡器更薄的一主体的另一遮挡器来替换该遮挡器。
11.根据权利要求8所述的晶圆处理模组的操作方法,其特征在于,确定该遮挡器与该上壁部分之间的该距离包括:
用一电源对该遮挡器与该上壁部分形成的一电容器充电;
量测跨该电容器的一电压;以及
将该量测的电压转换成该遮挡器与该上壁部分之间的该距离。
12.根据权利要求8所述的晶圆处理模组的操作方法,其特征在于,确定该遮挡器与该上壁部分之间的该距离包括:
用一电源对该遮挡器与该上壁部分形成的一电容器充电;
用该量测装置量测该电容器之间的电荷;以及
将该量测的电荷转换成该遮挡器与该上壁部分之间的该距离。
13.根据权利要求8所述的晶圆处理模组的操作方法,其特征在于,该量测装置包括一光学感测器、一超声波感测器,或一电感式接近感测器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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