[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910572512.8 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN112151369A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 潘璋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/033;H01L21/56;H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底上形成多晶硅膜；
采用刻蚀工艺去除部分厚度多晶硅膜，形成多晶硅层，刻蚀液为氢氟酸与臭氧溶液的混合液，氢氟酸与臭氧溶液的体积比例为1:4～4:1。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述氢氟酸中的HF与H2O的体积比例为1:200。
3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述臭氧溶液的百分比浓度为30ppm。
4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述基底包括衬底及器件层，所述器件层覆盖所述衬底表面；形成所述多晶硅膜的工艺中，在所述器件层表面形成多晶硅膜。
5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述刻蚀工艺的工艺时间小于30min，且所述工艺时间大于或等于1min。
6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述刻蚀液的温度为25℃～50℃。
7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述多晶硅层的厚度小于
8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述多晶硅膜的工艺中，所述多晶硅膜的厚度为
9.一种半导体结构，其特征在于，包括：
基底；
多晶硅层，位于所述基底上。
10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述基底包括衬底及器件层，所述器件层覆盖所述衬底表面，所述多晶硅层覆盖所述器件层表面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
