[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成多晶硅膜；采用刻蚀工艺去除部分厚度多晶硅膜，形成多晶硅层，刻蚀液为氢氟酸与臭氧溶液的混合液，氢氟酸与臭氧溶液的体积比例为1:4～4:1。本发明有助于提高刻蚀精度，并能够改善所述多晶硅层表面的平坦度。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，这些晶粒结合起来，即结晶成多晶硅。

在半导体结构的制造工艺中，多晶硅材料可用于形成硬掩膜层或掩蔽层。为使得形成的多晶硅层厚度符合工艺要求，需要对多晶硅材料进行刻蚀。

但是，现有刻蚀工艺仍有待改进。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法。

为解决上述问题，本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成多晶硅膜；采用刻蚀工艺去除部分厚度多晶硅膜，形成多晶硅层，刻蚀液为氢氟酸与臭氧溶液的混合液，氢氟酸与臭氧溶液的体积比例为1:4～4:1。

可选的，所述氢氟酸中的HF与H₂O的体积比例为1:200。

可选的，所述臭氧溶液的百分比浓度为30ppm。

可选的，所述基底包括衬底及器件层，所述器件层覆盖所述衬底表面；形成所述多晶硅膜的工艺中，在所述器件层表面形成多晶硅膜。

可选的，所述刻蚀工艺的工艺时间小于30min，且所述工艺时间大于或等于1min。

可选的，所述刻蚀液的温度为25℃～50℃。

可选的，所述多晶硅层的厚度小于

可选的，形成所述多晶硅膜的工艺中，所述多晶硅膜的厚度为

相应的，本发明还提供一种采用上述方法形成的半导体结构，包括：基底；多晶硅层，位于所述基底上。

可选的，所述基底包括衬底及器件层，所述器件层覆盖所述衬底表面，所述多晶硅层覆盖所述器件层表面。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

刻蚀液为氢氟酸与臭氧溶液的混合液。其中，臭氧溶液用于将部分厚度多晶硅膜氧化为二氧化硅。氢氟酸则用于与二氧化硅发生反应，生成可溶于水的反应生成物，从而去除部分厚度多晶硅膜。氢氟酸与臭氧溶液的体积比例为1:4～4:1。一方面，由于氢氟酸的体积占比小，使得刻蚀速率慢，有助于提高刻蚀工艺的精确性，且能够改善刻蚀后的多晶硅层表面的平坦度。另一方面，刻蚀工艺时间适当，避免刻蚀工艺耗时过长。

附图说明

图1至图3是本发明半导体结构形成方法一实施例中各步骤对应的结构示意图。

具体实施方式

现结合一种半导体结构的形成方法进行分析，包括：提供基底(图中未示出)；在所述基底上形成多晶硅膜(图中未示出)；对部分厚度多晶硅膜进行氧化处理，形成氧化硅层，剩余厚度多晶硅膜作为多晶硅层；刻蚀去除氧化硅层。

氧化处理工艺及刻蚀工艺分步骤进行，使得工艺效率低，此外，工艺控制难度加大，影响多晶硅层的形成质量。