[发明专利]微型发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201910572702.X | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110289254A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 吴新风;李菲;李慧慧;王欣竹;胡友元;胡金霞;张孝天 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L33/06;H01L33/46 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微型LED 发光部 发光层 透明绝缘层 侧表面 反射层 制备 微型发光二极管 端面相对 发光装置 周围器件 出光量 减小 覆盖 绝缘 | ||
1.一种微型LED器件，所述微型LED器件包括：
发光部，所述发光部包括：
发光层，所述发光层具有第一端面、与所述第一端面相对的第二端面、和位于所述第一端面和第二端面之间的侧表面；
位于所述第一端面上的P型半导体层；
位于所述第二端面上的N型半导体层；
至少覆盖所述发光层的所述侧表面的透明绝缘层；以及
位于所述透明绝缘层远离所述发光部的一侧的反射层；
其中所述透明绝缘层使得所述发光部与所述反射层绝缘，并且所述反射层至少覆盖所述发光层的所述侧表面。
2.根据权利要求1所述的微型LED器件，其中，
所述反射层是镍磷合金层或银层。
3.根据权利要求1所述的微型LED器件，其中，
所述反射层还覆盖所述P型半导体层与N型半导体层的侧表面。
4.根据权利要求1所述的微型LED器件，其中，
所述发光层是量子阱型发光层。
5.一种包括根据权利要求1-4中任一项所述的微型LED器件的发光装置。
6.根据权利要求5所述的发光装置，所述发光装置还包括：
阵列基板，所述阵列基板包括TFT；
其中，所述微型LED器件的P型半导体层或N型半导体层中之一与所述TFT的漏极电连接。
7.一种制备权利要求1所述的微型LED器件的方法，所述方法包括：
通过化学镀形成所述反射层的步骤。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，
所述化学镀是化学镀镍磷或化学镀银。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，
在所述通过化学镀形成所述反射层之前，使用温度活性压敏胶材料在不形成反射层的表面形成临时保护层。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，
所述温度活性压敏胶材料是冷却型耐酸丙烯酸酯共聚物温度活性压敏胶材料。
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