[发明专利]非易失性存储器器件及其操作方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器器件，包括：

第一存储器堆叠，包括彼此垂直堆叠的多个第一存储器单元；

第二存储器堆叠，包括彼此垂直堆叠的多个第二存储器单元，其中，所述第二存储器堆叠垂直堆叠在所述第一存储器堆叠上；以及

控制逻辑，被配置为基于在第一存储器操作中施加到所述第一存储器堆叠中的所述多个第一存储器单元的第一存储器单元的第一电压，设置施加用于所述第二存储器堆叠中的所述多个第二存储器单元的第二存储器单元的第二存储器操作的第二电压的电压电平，

其中，使用所述第一电压确定所述第一存储器单元的单元特性。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器器件，

其中，通过独立的沟道孔形成过程分别形成所述第一存储器堆叠和所述第二存储器堆叠。

3.如权利要求1所述的非易失性存储器器件，

其中，控制逻辑配置为：

使用多个电压对所述第一存储器单元执行所述第一存储器操作；

使用所述多个电压中的所述第一电压完成所述第一存储器操作，其中，在所述第一电压下确定所述第一存储器单元的单元特性；

基于所述第一电压设定所述第二电压；以及

使用所述第二电压对所述第二存储器单元执行所述第二存储器操作。

4.如权利要求1所述的非易失性存储器器件，其中：

所述第一存储器堆叠具有第一沟道孔，所述第二存储器堆叠具有连接到所述第一沟道孔的第二沟道孔；

所述第一沟道孔的蚀刻轮廓与所述第二沟道孔的蚀刻轮廓基本相同；以及

所述第二沟道孔的底部的宽度小于所述第一沟道孔的顶部的宽度。

5.如权利要求1所述的非易失性存储器器件，其中：

所述多个第一存储器单元中的每一个根据所述第一存储器堆叠中的多个第一至第N字线中的每一个的堆叠顺序连接到第一至第N字线的对应字线；

所述多个第二存储器单元中的每一个根据所述第二存储器堆叠中的多个第(N+1)至第M字线中的每一个的堆叠顺序连接到第(N+1)至第M字线的对应字线；

所述第一电压是施加到连接到第k字线的所述第一存储器单元的电压；

所述第二电压是施加到连接到第(k+N)字线的所述第二存储器单元的电压；

所述第k字线和第(k+N)字线分别位于所述第一存储器堆叠和所述第二存储器堆叠中的基本相同层；以及

N是1或更大的整数，M是大于N的整数，并且k是1和N之间的整数。

6.如权利要求5所述的非易失性存储器器件，

其中，所述控制逻辑还被配置为将所述第二电压的电压电平设置为与所述第一电压的电压电平相同。

7.如权利要求5所述的非易失性存储器器件，

其中，所述控制逻辑还被配置为将所述第二电压的电压电平设置为高于或低于所述第一电压的电压电平达到偏移。

8.如权利要求7所述的非易失性存储器器件，

其中，所述控制逻辑还被配置为：

施加多个第一读取电压以对所述第一存储器单元执行第一读取操作，其中，所述第一读取操作在所述多个第一读取电压的第一读取电压下完成；

施加多个第二读取电压以对所述第二存储器单元执行第二读取操作，其中，所述第二读取操作在所述第二读取操作的所述多个第二读取电压的第二读取电压下完成；以及

确定所述第一读取电压和所述第二读取电压之间的电压电平差作为所述偏移。

9.如权利要求7所述的非易失性存储器器件，

其中，所述控制逻辑被配置为：

施加多个第一编程电压以对所述第一存储器单元执行第一编程操作，其中，所述第一编程操作在所述多个第一编程电压的第一编程电压下完成；

施加多个第二编程电压以对所述第二存储器单元执行第二编程操作，其中，所述第二编程操作在所述多个第二编程电压的第二编程电压下完成；以及

确定所述第一编程电压和所述第二编程电压之间的电压电平差作为所述偏移。