[发明专利]存储器装置在审
申请号: | 201910573771.2 | 申请日: | 2019-06-28 |
公开(公告)号: | CN110970065A | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
发明(设计)人: | 南尚完;崔容赫;朴准镛;任政鲁 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C8/08 | 分类号: | G11C8/08;G11C8/10;G11C8/14;G11C16/08;G11C16/14 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 陈宇;尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 装置 | ||
1.一种存储器装置,所述存储器装置包括:
第一存储器单元和与第一存储器单元不同的第二存储器单元,其中,第一存储器单元和第二存储器单元彼此包括在同一个存储器块中;
第一字线,连接到第一存储器单元;
第二字线,与第一字线不同,连接到第二存储器单元;
地址解码器,被配置为将擦除电压和与擦除电压不同的禁止电压中的一个施加到第一字线和第二字线中的每条;以及
控制逻辑,被配置为使用地址解码器来控制对存储器块的擦除操作,
其中,当执行对存储器块的擦除操作时,在施加擦除电压之后将禁止电压施加到第一字线,并且在施加禁止电压之后将擦除电压施加到第二字线。
2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,将擦除电压施加到第一字线持续第一时间段,并且将擦除电压施加到第二字线持续与第一时间段不同的第二时间段。
3.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,第二存储器单元设置在第一存储器单元上方。
4.根据权利要求3所述的存储器装置,其中,将擦除电压施加到第一字线持续第一时间段,并且将擦除电压施加到第二字线持续比第一时间段长的第二时间段。
5.根据权利要求3所述的存储器装置,所述存储器装置还包括:
第三存储器单元,与第一存储器单元和第二存储器单元不同,包括在存储器块中并设置在第二存储器单元上方;
第四存储器单元,与第一存储器单元至第三存储器单元不同,包括在存储器块中并设置在第三存储器单元上方;
第三字线,与第一字线和第二字线不同,连接到第三存储器单元;以及
第四字线,与第一字线至第三字线不同,连接到第四存储器单元,
其中,地址解码器被配置为将擦除电压和禁止电压中的一个施加到第三字线和第四字线中的每条,并且
其中,当执行对存储器块的擦除操作时,在施加擦除电压之后将禁止电压施加到第三字线和第四字线。
6.根据权利要求3所述的存储器装置,所述存储器装置还包括:
第三存储器单元,与第一存储器单元和第二存储器单元不同,包括在存储器块中并设置在第二存储器单元上方;
第四存储器单元,与第一存储器单元至第三存储器单元不同,包括在存储器块中并设置在第三存储器单元上方;
第三字线,与第一字线和第二字线不同,连接到第三存储器单元;以及
第四字线,与第一字线至第三字线不同,连接到第四存储器单元,
其中,地址解码器被配置为将擦除电压和禁止电压中的一个施加到第三字线和第四字线中的每条,并且
其中,当执行对存储器块的擦除操作时,在施加擦除电压之后将禁止电压施加到第三字线,并且在施加禁止电压之后将擦除电压施加到第四字线。
7.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,第一存储器单元设置在第二存储器单元上方。
8.根据权利要求7所述的存储器装置,其中,将擦除电压施加到第一字线持续第一时间段,并且将擦除电压施加到第二字线持续比第一时间段小的第二时间段。
9.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,存储器块包括垂直地堆叠在一起的第一存储器结构和第二存储器结构,并且
其中,第一存储器结构包括第一存储器单元和第二存储器单元,第一存储器结构的高度比第二存储器结构的高度大。
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