[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

在衬底上方形成鳍；

在所述鳍上方形成伪栅极结构；

去除所述鳍的与所述伪栅极结构相邻的部分以形成第一凹槽；

在相邻所述伪栅极结构之间以及所述第一凹槽中沉积应力源材料；

实施去除所述应力源材料，以将一部分应力源材料作为保留应力源材料留在所述第一凹槽中，

在所述保留应力源材料上方以及所述伪栅极结构上方形成介电层；

在所述介电层中形成开口，所述开口暴露所述保留应力源材料；

从所述第一凹槽去除所述保留应力源材料的至少部分；以及

在去除所述保留应力源材料的至少部分之后，在所述第一凹槽中外延生长源极/漏极区域，

其中，所述保留应力源材料的一部分，保留在所述第一凹槽与所述源极/漏极区域之间。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括，对所述应力源材料实施退火工艺。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一凹槽中沉积所述应力源材料包括：

在所述第一凹槽中沉积第一应力源材料；

在沉积所述第一应力源材料之后，实施第一退火工艺；

在所述第一应力源材料上方沉积第二应力源材料；以及

在沉积所述第二应力源材料之后，实施第二退火工艺。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，实施去除所述应力源材料包括：

使用第一蚀刻工艺去除所述应力源材料的第一部分，以剩余所述保留应力源材料；以及

使用第二蚀刻工艺去除所述保留应力源材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述应力源材料包括氮化硅、碳氮化硅或它们的组合。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括，通过所述介电层中的所述开口形成至所述源极/漏极区域的接触件。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括，在形成所述接触件之后，去除所述伪栅极结构并且在所述鳍上方形成替换栅极结构。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述应力源材料对所述鳍提供介于2.5GPa和4.0GPa之间的拉伸应力的量。

9.一种形成半导体器件的方法，包括：

图案化衬底以形成带，所述带包括第一半导体材料；

沿着所述带的侧壁形成隔离区域，所述带的上部在所述隔离区域的顶面之上延伸；

沿着所述带的上部的侧壁并且沿着所述带的上部的第一顶面形成伪栅极结构；

对所述带实施第一蚀刻工艺，以在与所述伪栅极结构相邻的所述带中形成第一凹槽；

在相邻所述伪栅极结构之间以及所述第一凹槽内形成第一介电材料；

对所述第一介电材料实施退火工艺，所述第一介电材料在所述退火工艺之后向所述第一凹槽的侧壁提供应力，在所述退火工艺之后去除所述第一介电材料一部分而保留另一部分第一介电材料在所述第一凹槽中，

在所述另一部分第一介电材料上方以及所述伪栅极结构上方形成介电层；

在所述介电层中形成开口，所述开口暴露所述另一部分第一介电材料；

从所述第一凹槽去除所述另一部分第一介电材料；以及

在所述第一凹槽中外延生长源极/漏极区域，

其中，所述另一部分第一介电材料向所述第一凹槽的侧壁提供应力并且至少持续到形成用于源极/漏极区域的开口阶段。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一介电材料提供拉伸应力。

11.根据权利要求9所述的方法，还包括，在所述第一介电材料上方和所述伪栅极结构上方形成第二介电材料。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一介电材料包括SiN。