[发明专利]改善晶圆内的发射器氧化均匀性

权利要求书

1.一种晶圆，包括：

衬底层，

形成在衬底层上或衬底层内的多个垂直腔表面发射激光器(VCSEL)，

其中，基于跨所述晶圆的氧化层的氧化速率的预测变化，与所述多个VCSEL相关联的相应沟槽到沟槽距离跨所述晶圆变化。

2.根据权利要求1所述的晶圆，其中，所述氧化速率的预测变化基于标识一个或多个其他晶圆的历史氧化速率的历史数据。

3.根据权利要求1所述的晶圆，其中，所述相应沟槽到沟槽距离与所述氧化速率的预测变化相关。

4.根据权利要求1所述的晶圆，其中，与所述多个VCSEL相关联的氧化物孔的直径在彼此的近似50微米内。

5.根据权利要求1所述的晶圆，其中，所述相应沟槽到沟槽距离基于与用于形成所述多个VCSEL的步进掩模相关联的多个子掩模的沟槽特征。

6.根据权利要求1所述的晶圆，其中，所述相应沟槽到沟槽距离基于用于形成所述多个VCSEL的接触掩模的沟槽特征。

7.根据权利要求1所述的晶圆，其中，所述相应沟槽到沟槽距离基于所述多个VCSEL的相应台面直径。

8.一种晶圆，包括：

衬底层，

形成在衬底层上或衬底层内的多个垂直腔表面发射激光器(VCSEL)，

其中，相对于跨所述晶圆的氧化层的预测氧化速率，所述多个VCSEL的相应台面尺寸跨所述晶圆变化。

9.根据权利要求8所述的晶圆，其中，使用步进掩模形成所述多个VCSEL。

10.根据权利要求9所述的晶圆，其中，所述步进掩模包括多个子掩模，所述多个子掩模具有与所述预测氧化速率的变化相关联的不同的沟槽特征配置。

11.根据权利要求8所述的晶圆，其中，使用接触掩模形成所述多个VCSEL。

12.根据权利要求11所述的晶圆，其中，所述接触掩模包括单个掩模，所述单个掩模包括与所述预测氧化速率的变化相关联的被不同配置的沟槽特征。

13.根据权利要求8所述的晶圆，其中，所述相应台面尺寸基于所述多个VCSEL的相应注入保护层的直径的变化而变化。

14.一种掩模，包括：

多个子掩模，所述多个子掩模具有与在晶圆上或晶圆内形成垂直腔表面发射激光器(VCSEL)的多个沟槽相关联的沟槽特征，

其中，所述多个子掩模中的沟槽特征之间的距离是恒定的，以及

其中，基于与所述晶圆相关联的氧化层的氧化速率的预测变化，所述多个子掩模中的至少一个子掩模的沟槽特征之间的距离与所述多个子掩模中的一个或多个其他子掩模的沟槽特征之间的距离不同。

15.根据权利要求14所述的掩模，其中，跨所述多个子掩模的沟槽特征被配置为补偿所述氧化速率的预测变化。

16.根据权利要求14所述的掩模，其中，所述至少一个子掩模和所述一个或多个其他子掩模与形成所述多个VCSEL中的具有不同直径的台面结构的VCSEL的不同子集相关联。

17.根据权利要求14所述的掩模，其中，所述至少一个子掩模和所述一个或多个其他子掩模与形成所述多个VCSEL中的具有不同的沟槽到沟槽直径的VCSEL的不同子集相关联。

18.根据权利要求14所述的掩模，其中，所述掩模被划分为与所述多个子掩模中的相应子掩模相关联的多个梯级。