[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部，所述衬底内形成有阱区，所述阱区内具有第一类型离子；

在所述鳍部露出的衬底上形成隔离材料层，所述隔离材料层覆盖所述鳍部的整个侧壁；

形成所述形成隔离材料层后，在所述鳍部中形成反型掺杂区以及阈值电压调节区，所述阈值电压调节区位于所述鳍部的顶部一侧，所述反型掺杂区位于所述阈值电压调节区的下方，所述阈值电压调节区内具有所述第一类型离子，所述反型掺杂区内具有第二类型离子，所述第二类型离子与第一类型离子的导电类型不同；

形成所述反型掺杂区的步骤包括：对所述隔离材料层和鳍部顶部进行反型离子注入；

形成所述反型掺杂区后，形成所述阈值电压调节区之前，还包括：去除部分厚度的隔离材料层，形成露出所述鳍部部分侧壁的初始隔离层；

形成所述阈值电压调节区的步骤包括：对所述初始隔离层露出的鳍部侧壁进行阈值电压注入；

形成所述阈值电压调节区之后，去除部分厚度的初始隔离层，保留剩余初始隔离层作为隔离结构，所述隔离结构露出所述反型掺杂区和阈值电压调节区。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述反型掺杂区之前，还包括：对所述隔离材料层和鳍部顶部进行沟道停止注入，在所述鳍部中形成防穿通区，所述防穿通区内具有第一类型离子；

形成所述反型掺杂区的步骤中，所述反型掺杂区位于所述防穿通区的上方；形成所述隔离结构的步骤中，所述隔离结构覆盖所述防穿通区的侧壁。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用离子注入工艺对所述鳍部进行反型离子注入，形成所述反型掺杂区。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用离子注入工艺对所述鳍部进行阈值电压注入，形成所述阈值电压调节区。

5.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用离子注入工艺对所述鳍部进行沟道停止注入，形成所述防穿通区。

6.如权利要求3或5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述离子注入工艺的注入角度为0度至7度。

7.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述离子注入工艺的注入角度为15度至20度。

8.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述反型离子注入的工艺参数包括：所述第二类型离子包括硼、镓和铟中的一种或多种，注入能量为6KeV至30KeV，注入剂量为2E13atom/cm²至1E15atom/cm²；

或者，所述第二类型离子包括磷、砷和锑中的一种或多种，注入能量为15KeV至50KeV，注入剂量为2E13atom/cm²至1E15atom/cm²。

9.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述阈值电压注入的工艺参数包括：所述第一类型离子包括磷、砷和锑中的一种或多种，注入能量为7KeV至25KeV，注入剂量为1E13atom/cm²至5E14atom/cm²；

或者，所述第一类型离子包括硼、镓和铟中的一种或多种，注入能量为3KeV至15KeV，注入剂量为1E13atom/cm²至5E14atom/cm²。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述阈值电压调节区的步骤中，所述阈值电压调节区具有预设厚度；

形成所述隔离结构的步骤中，所述隔离结构露出的鳍部高度为预设高度；

所述预设厚度为所述预设高度的1/5至1/3。