[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底以及凸出于所述衬底的鳍部，所述衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构横跨所述鳍部且覆盖所述鳍部的部分侧壁和部分顶部，所述栅极结构两侧的鳍部中形成有源漏掺杂区；

形成所述源漏掺杂区后，在所述鳍部露出的所述衬底上形成第一介质层，所述第一介质层露出所述鳍部顶部；

形成刻蚀停止层，所述刻蚀停止层保形覆盖所述第一介质层以及所述第一介质层露出的鳍部和源漏掺杂区；

在所述刻蚀停止层上形成第二介质层；

形成贯穿第二介质层和刻蚀停止层的导电插塞，所述导电插塞横跨所述鳍部，且所述导电插塞与所述源漏掺杂区相连接。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一介质层的步骤包括：在所述鳍部露出的衬底上形成第一介质材料层，所述第一介质材料层顶部和所述栅极结构顶部相齐平；

回刻蚀部分厚度的所述第一介质材料层，露出所述鳍部顶部。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺，回刻蚀部分厚度的所述第一介质材料层。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一介质层的步骤中，所述第一介质层顶部和所述鳍部顶部相齐平。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构为伪栅结构；

在所述刻蚀停止层上形成第二介质层的步骤中，所述第二介质层覆盖所述栅极结构的侧壁；

在所述刻蚀停止层上形成第二介质层后，形成贯穿第二介质层和刻蚀停止层的导电插塞之前，还包括：去除所述栅极结构，在所述第一介质层和第二介质层中形成栅极开口；在所述栅极开口中形成器件栅极结构。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述刻蚀停止层的步骤中，所述刻蚀停止层保形覆盖所述第一介质层以及所述第一介质层露出的栅极结构、鳍部和源漏掺杂区；

形成所述第二介质层的步骤包括：形成覆盖所述刻蚀停止层的第二介质材料层；对所述第二介质材料层进行平坦化处理，去除高于所述刻蚀停止层顶部的第二介质材料层，剩余所述第二介质材料层作为所述第二介质层；

形成所述第二介质层后，去除所述栅极结构之前，还包括：去除所述栅极结构顶部的刻蚀停止层。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述导电插塞的步骤包括：采用非自对准刻蚀工艺，在所述第二介质层和刻蚀停止层中形成沟槽，所述沟槽露出所述源漏掺杂区和第一介质层，所述沟槽的延伸方向垂直于所述鳍部的延伸方向，且所述沟槽横跨所述鳍部；

填充所述沟槽，形成所述导电插塞。

8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用化学机械研磨工艺，对所述第二介质材料层进行平坦化处理。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的材料包括氮化硅、氮碳化硅、碳化硅和氮氧化硅中的一种或者多种。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二介质层和第一介质层的材料均为氧化硅。